РАСПОРЯЖЕНИЕ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ПРЕЗИДИУМ

РАСПОРЯЖЕНИЕ

1. Принять к сведению, что 9-12 октября 2013 г. в г. Москве российскими членами организуется и проводится Годичное собрание Научного совета по проблемам функциональных материалов электронной техники при Международной ассоциации академий наук (далее – Годичное собрание) с общим числом участников 60 человек, из них 20 человек из стран СНГ.

2. Поручить Федеральному государственному бюджетному учреждению науки Институту радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (ИРЭ РАН) и Научному совету РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения» организацию и проведение Годичного собрания.

3. Пригласить для участия в Годичном собрании до 20 ученых стран СНГ.

4. Финансово-экономическому управлению РАН обеспечить финансирование ИРЭ РАН для организации и проведения Годичного собрания в соответствии со сметой, утвержденной в установленном порядке.

5. Поручить Управлению делами РАН оказать содействие в размещении иностранных участников Годичного собрания в гостинице «Академическая» по адресу: г. Москва, ул. Донская, д. 1 с оплатой номеров за счет их собственных средств по льготному тарифу в соответствии со сметой.

6. Научному совету РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения» в месячный срок после окончания Годичного собрания представить в установленном порядке отчет о его проведении руководству Президиума РАН.

7. Контроль за выполнением настоящего распоряжения возложить на Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.

И.о. президента Российской академии наук
академик В.Е.Фортов