http://93.174.130.82/news/shownews.aspx?id=e8cb9f5f-5b34-4e8d-bb3e-d470255b9eed&print=1© 2024 Российская академия наук
Академик
Красников Геннадий Яковлевич
Геннадий Яковлевич Красников родился 30 апреля 1958 года в Тамбове.
В 1981 году окончил Физико-технический факультет Московского института электронной техники.
C 1981 года — освобожденный секретарь комитета комсомола НИИМЭ и завода «Микрон», далее — инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель генерального директора, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» (с 1991 по 2016 год), генеральный директор АО «НИИМЭ» (ранее исследовательский центр ОАО «НИИМЭ и Микрон», выделенный с 2011 года в отдельное дочернее предприятие). В 1999-2003 гг. — генеральный директор концерна «Научный центр» (с 2005 года ОАО «Ситроникс»).
В настоящее время — генеральный директор АО «НИИ молекулярной электроники», председатель Совета директоров ПАО «Микрон», вице-президент ОАО «СИТРОНИКС». Одновременно — зав. кафедрой «Субмикронная технология СБИС» Московского государственного института электронной техники, и возглавляет базовую кафедру микро- и наноэлектроники в Московском физико-техническом институте.
Член-корреспондент РАН с 1997 года, академик РАН с 2008 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.
Специалист в области разработки микросхем элементной базы современных вычислительных средств и автоматики.
Академик Г.Я. Красников — советский и российский ученый в области физики полупроводниковых приборов, ведущий специалист в области микро- и наноэлектроники. Сфера его научной деятельности — разработка сверхбольших интегральных схем (СБИС), решение проблем обеспечения качества их промышленного производства, физика полупроводников, полупроводниковых приборов.
Им созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем кремний — диоксид кремния — металл на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем. Г.Я. Красниковым создан комплекс оригинальных научно-обоснованных технических решений, охватывающих весь технологический маршрут изготовления КМОП микросхем, являющихся основой современной теории формирования элементной базы СБИС, где определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей, как по границам компонентов систем «металл-окисел-кремний», так и по всей системе в целом при изготовлении микросхем с минимальными топологическими размерами от 180 нм до 65 нм. Сформирована современная теория стабилизации электрических параметров интегральных схем.Им подготовлено 3 доктора и 7 кандидатов наук.
Г.Я. Красников — автор 279 работ, из них 3 монографий, он получил более 40 авторских свидетельств и патентов.
Член редколлегий журналов «Микроэлектроника» РАН, «Нано- и микросистемная техника» и «ЭЛЕКТРОНИКА: наука, технология, бизнес». Главный редактор журнала Электронная техника. Серия «Микроэлектроника» и «Микроэлектроника».
Член Президиума РАН, председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения».
Состоял членом Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию. Сопредседатель Совета по наукоемким технологиям при Комитете Государственной Думы РФ, член Совета по координации научных исследований при Президиуме РАН по стратегическим информационным технологиям, в том числе по проблемам создания суперкомпьютеров и программного обеспечения к ним.
Член Совета генеральных и главных конструкторов, ведущих ученых и специалистов в области высокотехнологичных секторов экономики при Председателе Правительства РФ, заместитель председателя секции «Информационные технологии и вычислительные системы» Совета по присуждению премий Правительства РФ.
Член Консультативного научного Совета Фонда «Сколково». Член Совета по научной и технической политике при Министерстве обороны России.Входит в состав Совета руководителей EMEA Leadership Council — Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).
Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, орденом Почета, орденом Дружбы.
Лауреат Государственной премии РФ, дважды — премии Правительства России.
Удостоен Серебряной медали Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'96».
Удостоен Золотой и Серебряной медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'97», 4-х Серебряных медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'2000», медали ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».