http://93.174.130.82/news/shownews.aspx?id=e8a81f04-f815-40e6-8861-e2cac5212015&print=1
© 2024 Российская академия наук

Академику Тимофееву Владиславу Борисовичу - 80 лет!

22.09.2016

Юбилей академика Тимофеева Владислава Борисовича

 

Академик
Тимофеев Владислав Борисович

 

академик Тимофеев Владислав Борисович (jpg, 71 Kб)

 

Владислав Борисович Тимофеев родился 22 сентября 1936 в Москве.

В 1959 году окончил Киевский университет. После окончания университета работал в Институте физики твёрдого тела РАН.

В 1976 году организовал в институте лабораторию неравновесных электронных процессов. В настоящее время - главный научный сотрудник ИФТТ.

Член-корреспондент с 1990 года, академик РАН с 2000 года - Отделение физических наук РАН.

Специалист в области физики полупроводников и твердого тела.

В.Б. Тимофеев исследовал фазовые диаграммы конденсации в металлическую электрон-дырочную жидкость и проанализировал термодинамику неравновесных электрон-дырочных систем в полупроводниках; в неравновесном электрон-дырочном газе обнаружил новые квазичастицы - экситонные молекулы и исследовал их свойства; экспериментально реализовал новый квантовый обьект - спин-ориентированный газ экситонов, обнаружил и исследовал его квантовое статистическое поведение. Обнаружил гигантские излучательные вероятности экситонно-примесных комплексов в полупроводниках с прямой щелью. В работах по многоэкситонным комплексам определил устойчивость комплексов и проведена исчерпывающая классификация их электронных и дырочных термов в соответствии с оболочечным строением. В области оптической спектроскопии высокотемпературных сверхпроводников впервые выполнил исследования неупругого рассеяния света, связанного с надщелевыми возбуждениями в оксидных сверхпроводниках, обнаружена сильная анизотропия рассеяния, обусловленная анизотропией сверхпроводящей щели в этом классе высоко температурных свехпроводников.

Он развивает новое направление, касающееся оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых систем. В этой области им обнаружены эффекты дробного квантования холловского сопротивления в кремниевых полевых транзисторах, предложен и реализован спектроскопический метод измерения кулоновских щелей в режиме дробного квантового эффекта Холла, обнаружена вигнеровская кристаллизация двумерных электронов в одиночном гетеропереходе, исследованы кулоновские корреляционные эффекты в системах с пространственно разделенными электрон-дырочными слоями и в этих системах обнаружена бозе-конденсация пространственно непрямых экситонов. Заложили оcновы нового направления - магнитооптики низкоразмерных электронных систем в ультра квантовом пределе.

Среди его учеников более 20 кандидатов наук и 7 докторов, 2 из которых стали член-корреспондентами РАН.

Автор и соавтор более 200 публикаций, включая 16 обзоров и двух коллективных монографий.

Имеет более 2000 цитирований своих работ. Индекс Хирша — 22.

Член редакционных коллегий ряда отечественных и международных научных журналов.

Председатель Научного Совета ООФА РАН по "Физике полупроводников", член бюро комиссии по спектроскопии ООФА.

Член Президиума научного центра РАН в Черноголовке, член международной Комиссии по физике полупроводников IUPAP.

Лауреат Государственной премии СССР и международной Гумбольдтовской премии.

Награжден орденом Дружбы.