20 января 2023 года в Доме Российского исторического
общества (РИО) состоялся круглый стол, посвящённый истории российского
лидерства в области физики, совмещённый с заседанием Организационного комитета
по подготовке и проведению празднования 100-летия со дня рождения Н.Г. Басова —
лауреата Нобелевской премии и одного из создателей лазера.
В ходе мероприятия представители органов
государственной власти, Российской академии наук, ведущих вузов и общественных
организаций обсудили основные достижения в истории отечественной науки и
стратегию их популяризации в контексте инициативы «Работа с опытом» в рамках
Десятилетия науки и технологий.
Открывая заседание, председатель РИО Сергей
Нарышкин отметил, что «прошедший юбилей академика Басова, как и
другие юбилеи знаменитых физиков, выпавшие на этот год, призваны послужить
поводом для большого и предметного разговора о роли учёных в судьбе нашей
страны».
Сергей Нарышкин напомнил, что история российского
лидерства в области физики берёт своё начало со времён Петра Великого,
учредившего Петербургскую академии наук.
«Именно благодаря первому императору, увидевшему
в развитии образования и науки ключ к решению важнейших государственных задач,
был создан этот штаб планирования перспективных исследований и первая в нашей
стране кузница профессиональных научных кадров», — сказал он.
По словам Сергея Нарышкина, развитие фундаментальных
научных исследований активно продолжилось и в XIX веке, и во
время Гражданской войны, и в послевоенный период. Среди крупнейших
достижений XX века — создание атомной бомбы и освоение космоса.
«История советского атомного проекта наглядно
свидетельствует о том, что фундаментальная наука является непосредственным
залогом и национальной безопасности. После нанесения американцами варварских
ударов по Хиросиме и Нагасаки ядерный удар по Советскому Союзу оставался лишь
вопросом времени. Но наши советские учёные, прежде всего учёные-физики,
инженеры, конструкторы совершили настоящий подвиг и буквально за несколько лет
создали атомную бомбу. Успешные испытания советского ядерного заряда,
осуществлённые в 1949 году, послужили наглядным предостережением для
Соединённых Штатов и вынудили заокеанских агрессоров полностью пересмотреть
свои планы в отношении нашей страны. Создание советской атомной бомбы спасло
мир от третьей мировой войны», — дополнил он.
Президент Российской академии наук, академик РАН,
сопредседатель Организационного комитета по подготовке и проведению
празднования 100-летия со дня рождения Н.Г. Басова Геннадий Красников также
отметил преемственность российской науки. Он рассказал, что каждый член
учрежденной почти 300 лет назад Петербургской академии наук должен был
подготовить и воспитать новых учеников, способных продолжить его дело. Николай
Геннадьевич Басов, многократно избиравшийся в президиум Академии наук, и его
учитель Александр Михайлович Прохоров, совершившие важное открытие и получившие
Нобелевскую премию, – яркий пример этого.
«Я уже
упомянул, что в 2024 году исполняется 300 лет Российской академии наук. Кстати,
при ее основании одной из задач академии провозглашалось то, что каждый ее член
должен был воспитывать себе преемников, учеников. Я считаю, на примере Николая
Геннадьевича Басова хорошо видна эта межпоколенческая связь. В 1950 году он
закончил тогда еще молодой Инженерно-физический институт, и буквально в течение
нескольких лет вместе со своим учителем [Александром Михайловичем] Прохоровым
проделал знаменитую работу, которая затем, через определенный период, была
удостоена Нобелевской премии. Вот яркий пример тому, как работала система
образования», — подчеркнул Геннадий Красников.
В заседании также приняли участие член-корреспондент
РАН, директор Физического института имени П.Н. Лебедева Николай
Колачевский, специальный представитель Президента Российской Федерации по
международному культурному сотрудничеству Михаил Швыдкой, директор
Административного департамента Государственной корпорации по космической
деятельности «Роскосмос» Дмитрий Шишкин, ректор Национального
исследовательского ядерного университета «МИФИ» Владимир Шевченко,
генеральный директор Российского общества «Знание» Максим Древаль, ректор
Московского физико-технического института Дмитрий Ливанов, заместитель
руководителя Федерального архивного агентства Андрей Юрасов,
член-корреспондент РАН, главный научный сотрудник Институт истории
естествознания и техники имени С.И. Вавилова РАН, лётчик-космонавт Российской
Федерации, Герой Российской Федерации Юрий Батурин и другие.
В этот же день в Доме РИО состоялось открытие
выставки «Николай Басов. Луч света», приуроченной к 100-летию со дня рождения
академика Н.Г. Басова. В экспозиции представлены архивные документы,
фотографии, личные вещи учёного, а также созданные им изобретения. Среди
экспонатов — диплом о присуждении Н.Г. Басову Ленинской премии в области науки
и техники, персональная программа Нобелевского лауреата Н.Г. Басова, квантовый
генератор, мазер.
Экспозиция организована Политехническим музеем
совместно с Российским историческим обществом и Росархивом, при поддержке фонда «История
Отечества».
Источник: Российское историческое общество.
Текст: Полина Животова.
Фото: Александр Шалгин.
Для справки.
Басов Николай Геннадиевич (14.12.1922–01.07.2001) —
выдающийся российский физик и организатор науки, один из основоположников
квантовой электроники, академик РАН (1966), член Президиума АН СССР
(1967–1990), директор Физического института имени П.Н. Лебедева РАН (ФИАН)
(1973–1989), руководитель Отделения квантовой радиофизики ФИАН (1989–2001)
(ныне имени Н.Г. Басова), профессор Московского инженерно-физического института
(МИФИ, ныне НИЯУ МИФИ), заведующий кафедрой квантовой электроники МИФИ, научный
руководитель Высшей школы физиков МИФИ – ФИАН (ныне имени Н.Г. Басова),
председатель Правления Всесоюзного общества «Знание», главный редактор журнала
«Природа» (1967–1990), член Президиума Верховного Совета СССР (1982–1989), член
Советского Комитета защиты мира и член Всемирного Совета Мира (1965–2001).
Исследования Н.Г. Басова и его сотрудников привели к
созданию широкого семейства новых лазеров: фотодиссоционных (на атомах йода),
основанных на накачке сильной ударной волной, электроионизационных, эксимерных,
химических и других лазеров. Н.Г. Басов с О.Н. Крохиным и Ю.М. Поповым были
первыми учёными в мире, которые предложили использовать полупроводники в
качестве активной среды для лазеров, возбуждаемых различными методами, включая
инжекцию носителей через р-п-переход. Этот метод привёл к появлению
инжекционных диодных лазеров, которые наиболее широко используются как в науке,
так и в технике. (Книга-альбом «Николай Геннадиевич Басов. К 95-летию со дня
рождения». Под редакцией А. А. Ионина).
Указом Президента Российской Федерации от 18.08.2022
г. № 562 было установлено в ознаменование 100-летия со дня рождения Н.Г. Басова
организовать празднование этой знаменательной даты. Для разработки и проведения
серии памятных мероприятий образован оргкомитет, возглавляемый Министром науки
и высшего образования России Валерием Фальковым и Президентом Российской
академии наук Геннадием Яковлевичем Красниковым.