http://93.174.130.82/news/shownews.aspx?id=d259daa4-9673-4f15-b115-20656a7838ba&print=1© 2024 Российская академия наук
АКАДЕМИК
СУРИС РОБЕРТ АРНОЛЬДОВИЧ
Роберт Арнольдович Сурис родился 31 декабря 1936 года в г. Москве.
В 1960 году окончил Физико-химический факультет Московского института стали и сплавов.
Заведующий лабораторией ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (с 1988 года).
Член-корреспондент c 1997 года, академик РАН c 2006 года - Отделение физических наук РАН.
Специалист в области физики твердотельных наноструктур, физики полупроводников и физических основ твердотельной электроники.
Один из пионеров в теории полупроводниковых наногетероструктур. Разработал теорию электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешеток. Выдвинул идеи и разработал теории каскадных лазеров на основе полупроводниковых сверхрешеток и гетеролазера с распределенной обратной связью — ключевого элемента систем оптоволоконной связи; а также теорию гетеролазеров нового поколения — лазеров на квантовых точках.
Создал теорию пограничных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и в структуре металл-окисел-полупроводник, являющейся основой кремниевой микроэлектроники.
Предсказал неизвестный ранее тип волн плазмы полупроводников - волн перезарядки ловушек, определяющих свойства ИК-фотоприемников и фоторефрактивных сред и создал их теорию.
Создал теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных пленках высокотемпературных сверхпроводников.
Развил теорию сверхрешеток на квантовых точках и приборов на их основе, теорию коллективных эффектов и многочастичных электрон-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких структур.
Под руководством Р.А. Суриса защищено 23 кандидатские диссертации. Среди его учеников 5 докторов наук.
Он опубликовал более 300 научных статей. Он является автором книги и около 20 изобретений в области полупроводниковых технологий.
Индекс Хирша — 28.
Член редколлегий "Журнала Технической Физики" и "Писем в Журнал Технической Физики" и член редколлегии журнала "Микроэлектроника".
Член Президиума СПбНЦ РАН.
Лауреат Государственной премии России.
Лауреат Международной премии по оптоэлектронике.
Награжден орденом Дружбы, медалью ордена "За заслуги перед Отечеством" II степени.