http://93.174.130.82/news/shownews.aspx?id=c9672d08-7085-46cd-90dc-f4c837aa751b&print=1© 2024 Российская академия наук
АКАДЕМИК
Кузнецов Федор Андреевич
Федор Андреевич Кузнецов родился 12 июля 1932 года в г. Иркутске.
В 1955 году окончил Ленинградский государственный университет. Научный путь Ф.А. Кузнецова с 1958 года связан с Институтом неорганической химии СО АН СССР – затем РАН: аспирант, научный сотрудник, заведующий лабораторией, заместитель директора по научной работе и в 1982 – 2005 гг. директор. С 2005 г. – советник РАН и заведующий Отделом химии функциональных материалов этого же института.
С 1983 по 2005 год Ф.А. Кузнецов был директором Института неорганической химии, в настоящее время он является советником РАН.
Член-корреспондент с 1984 года, академик с 1987 года – Отделение нанотехнологий и информационных технологий.
Выдающийся физико-химик и материаловед. Он является одним из ведущих специалистов в нашей стране и за рубежом в области разработки научных основ создания материалов для микроэлектронной техники, количественных методов анализа неорганических материалов, многокомпонентных систем для выращивания кристаллов и слоев из газовой фазы и теоретических основ и методологии термодинамического моделирования процессов синтеза таких материалов и структур.
Основные направления научных исследований Ф.А. Кузнецова - разработка физико-химических основ создания материалов и структур с заданными свойствами для микро- и оптоэлектроники, экспериментальное и теоретико-расчетное изучение процессов синтеза и деградации материалов и структур, разработка новых технологических процессов и аппаратуры, материаловедческая информатика.
В результате этих исследований была развита методология количественного исследования одного из наиболее используемых в микроэлектронной технологии типа процессов - химического осаждения из газовой фазы, обоснована содержательность и развита техника термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур. Были проведены обширные исследования взаимосвязи структуры и состава вещества многослойных структур, составляющих основу элементной базы вычислительной техники с физическими параметрами.
Под руководством Ф.А. Кузнецова в Институте создан банк данных свойств материалов электронной техники (СМЭТ), включающий базу кристаллоструктурных данных и комплекс оригинальных программ для верификации самих данных.
Академик В.А. Кузнецов - автор более 400 научных трудов.
Является членом редколлегий ряда зарубежных журналов.
Председатель Научного совета по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения.
Ф.А. Кузнецов - президент Азиатско-Тихоокеанской Академии материалов APAM.
В ИЮПАК, Международном союзе теоретической и прикладной химии, является членом комитета КЕМРОН "Химия для нужд человечества. Национальный представитель в КОДАТА, Комитете по численным данным для науки и техники, он возглавляет рабочую группу по газовым гидратам.
Входит в число организаторов долгосрочной программы научно-технического сотрудничества с Индией, является руководителем двух направлений в составе этой программы (электронные материалы и газовые гидраты), возглавляет Лабораторию междисциплинарных проектов СО РАН и университета Тохоку (г. Сендай, Япония), руководит рядом совместных проектов с академией наук Китая.
Лауреат Государственной премии СССР.
Награжден орденом «Знак Почета» и орденом Дружбы.