Академику Сурису Роберту Арнольдовичу - 75 лет!
31.12.2011
Юбилей академика Суриса Роберта Арнольдовича
АКАДЕМИК
Сурис Роберт Арнольдович
Роберт Арнольдович Сурис родился 31 декабря 1936 году в Москве.
В 1960 году окончил Физико-химический факультет Московского института стали и сплавов. Заведующий лабораторией ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (с 1988 года).
Член-корреспондент c 1997 г., академик c 2006 г. - Отделение физических наук.
Специалист в области физики твердотельных наноструктур, физики полупроводников и физических основ твердотельной электроники.
Один из пионеров в теории полупроводниковых наногетероструктур. Разработал теорию электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешеток. Выдвинул идеи и разработал теории л каскадных лазеров на основе полупроводниковых сверхрешеток и гетеролазера с распределенной обратной связью — ключевого элемента систем оптоволоконной связи, а также теорию гетеролазеров нового поколения — лазеров на квантовых точках.
Создал теорию пограничных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и в структуре металл-окисел-полупроводник, являющейся основой кремниевой микроэлектроники.
Предсказал неизвестный ранее тип волн плазмы полупроводников - волн перезарядки ловушек, определяющих свойства ИК-фотоприемников и фоторефрактивных сред и создал их теорию.
Создал теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных пленках высокотемпературных сверхпроводников.
Развил теорию сверхрешеток на квантовых точках и приборов на их основе, теорию коллективных эффектов и многочастичных электрон-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких структур.
Р. А. Сурис опубликовал более 270 статей. Он является автором книги и около 20 изобретений в области полупроводниковых технологий.
Член редколлегий "Журнала Технической Физики" и "Писем в Журнал Технической Физики" и член редколлегии журнала "Микроэлектроника".
Член Президиума СПбНЦ РАН.
Лауреат Государственной премии России.
Лауреат Международной премии по оптоэлектронике.