Александр Сергеевич Сигов родился 31 мая
1945 года в г. Сталино (ныне — Донецк).
В 1968 году окончил с отличием
Физический факультет Московского государственного университета им. М.В.
Ломоносова по Кафедре квантовой теории, в 1971 году — аспирантуру. С 1972 года
— в Московском государственном университете радиотехники, электроники и
автоматики, МИРЭА (ныне ФГБОУ ВО «МИРЭА — Российский технологический
университет», РТУ МИРЭА): в 1985-1998 гг. — декан Факультета электроники и
оптоэлектронной техники, в 1998-2013 гг. — ректор РТУ МИРЭА (переизбирался в
2003 и 2008 гг.), с 2013 года — президент РТУ МИРЭА.
С 1989 года — заведующий Кафедрой
прикладных проблем ВТСП (в 1992 году переименована в Кафедру электроники
конденсированных сред, с 2003 года — Кафедра физики конденсированного
состояния, с 2016 года — Кафедра наноэлектроники) РТУ МИРЭА.
В 2023 году стал заместителем
академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН,
руководителем Секции нанотехнологий.
Член-корреспондент РАН c 2006 года,
академик РАН c 2011 года — Отделение нанотехнологий и информационных
технологий.
Академик А.С. Сигов — известный в мире
учёный-физик, организатор науки. Специалист в области физики твердого тела,
твердотельной электроники и физического материаловедения, физики
конденсированного состояния, фазовых переходов, физики магнитных явлений,
функциональных материалов, композитных материалов, диэлектриков, тонких пленок,
гетероструктур, элементной базы устройств микроэлектроники на новых физических
принципах, спинтроники, новых идей в области передачи, обработки и хранения
информации, дефектов структуры, физических свойств неупорядоченных систем,
статистической физики.
Сфера научной деятельности А.С. Сигова —
исследование физических свойств систем с пониженной размерностью или/и
структурным беспорядком; получило признание его исследование влияния дефектов
на физические свойства кристаллов вблизи структурных и магнитных фазовых
переходов. Неоценим его вклад в исследование и внедрение в отечественную
промышленность нового класса диэлектрических материалов для формирования
диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем.
В 2024 году Указом Президента РФ А.С.
Сигов назначен руководителем Комитета по проблемам оборонно-промышленной
безопасности и членом бюро Научно-экспертного совета Совета Безопасности РФ.
Является членом Научно-координационного совета ФСБ России. Входит в состав ряда
советов и рабочих групп различных государственных органов, является
председателем правления Ассоциации инженерного образования России, представляет
Россию в организационных и программных комитетах Национальных и Международных
конференций, учёный секретарь Комиссии ЮНЕСКО по нанонауке и нанотехнологии,
член Европейского физического общества, член международной ассоциации
специалистов в области техники Institute of Electrical and Electronics
Engineers, член Института инженерии и технологий (IET), член Института
электроинженеров (Англия), член Международного общества исследований
материалов.
В 1972 году защитил кандидатскую
диссертацию «Статические и динамические свойства доменных границ с поперечными
связями в тонких ферромагнитных пленках», в 1985 году защитил докторскую
диссертацию «Влияние дефектов на физические свойства кристаллов вблизи
структурных и магнитных фазовых переходов», с 1988 года — профессор.
В студенческие годы А.С. Сигов начал
заниматься исследованием электродинамических неустойчивостей в полупроводниках
с глубокими уровнями — под научным руководством блестящего физика-теоретика,
будущего действительного члена Академии наук СССР Л.В. Келдыша, потом выполнил
дипломный проект под его руководством; регулярно посещал семинары, проводимые в
ФИАН будущим лауреатом Нобелевской премии академиком В.Л. Гинзбургом. Работая в
МИРЭА, по инициативе докторов физ.-мат. наук А.П. Леванюка и В.В. Осипова стал
заниматься изучением влияния дефектов на аномалии физических свойств кристаллов
вблизи точек структурных и магнитных фазовых переходов.
Основные научные результаты А.С. Сигова:
- создано новое направление — активные
диэлектрики для электронно-компонентной базы, в рамках которого разработаны и
проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства (ЗУ),
микроэлектромеханические системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические
ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотоники;
- выполнены фундаментальные исследования
свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков, роли дефектов разных типов и
процессов самоорганизации в упорядоченных структурах для перспективных
устройств наноэлектроники, включая системы с фазовыми превращениями, гигантским
магнетосопротивлением, бистабильностью (результаты использованы при создании
магнитных накопителей, датчиков магнитного поля, интегральных ЗУ).
А.П. Леванюком и А.С. Сиговым построена
последовательная феноменологическая теория влияния дефектов на аномалии
физических свойств кристаллов вблизи структурных и магнитных фазовых переходов
второго рода, определены условия ее применимости и найдены вклады дефектов
разных типов в аномалии широкого ряда физических характеристик. Показано, что
для дефектов типа «локальная температура фазового перехода» теория скэйлинга в
неоднородной системе неприменима. А в случае предельно низких концентраций
дефектов скэйлинговый режим, присущий системе в отсутствие дефектов, может
иметь место, а по мере приближения к точке фазового перехода система
переключается в режим сильной связи, до настоящего времени глубоко не
изученный. При заметных концентрациях дефектов система переходит в режим
сильной связи уже в области применимости приближения среднего поля. Детально
изучены самосогласованные процедуры для систем с дефектами в рамках приближения
среднего поля в области температур, предшествующей переходу в режим сильной
связи.
К 1985 году принципиальные вопросы
создаваемой теории были решены и А.С. Сигов совместно с В.Р. Чечеткиным занялись
решением актуальной для практики задачи о тепловой устойчивости сверхпроводящих
магнитных систем при воздействии слабых случайных тепловых возмущений. В рамках
теории функционала Ляпунова ими были получены общие критерии устойчивости по
отношению к конечным тепловым возмущениям, а для определения минимальной
критической энергии, приводящей к потере устойчивости, сформулирован
вариационный принцип. Получены критерии устойчивости для случаев гауссовых или
пуассоновских тепловых возмущений, и для заданного тока определен допустимый
уровень температурных флуктуаций.
Ряд проблем был исследован А.С. Сиговым
совместно с его учеником профессором А.И. Морозовым (безвременно ушедшим из
жизни во время пандемии). К ним относится задача о релаксации спина мюона в
металлах с дефектами. Авторы показали, что наблюдаемая в эксперименте
релаксация обусловлена захватом мюона ловушкой, роль которой может играть любой
точечный или протяженный дефект кристаллической решетки. Сформулирован
детальный план экспериментов для получения количественной информации о
локальных магнитных полях и о квантовой диффузии мюона в металле. При изучении
взаимодействия дефектонов (квантовых дефектов) с электронами проводимости
проведен последовательный учет инфракрасных перенормировок, вызванных этим
взаимодействием и существенно влияющих на ширину зоны дефектонов и их вклад в
физические свойства металла. Рассмотрены процессы кластеризации дефектонов,
обусловленные взаимодействием их друг с другом и с дефектами других типов.
Найдены температурные зависимости кинетических коэффициентов металла,
содержащего как свободные дефектоны, так и двухуровневые системы, возникающие в
ряде случаев при захвате дефектона тяжелой неподвижной примесью.
При анализе многослойных магнитных
наноструктур А.С. Сиговым показано, что в многослойной системе
ферромагнетик-антиферромагнетик поведение магнитных параметров порядка в слоях
нанометровой толщины во многом определяется фрустрациями, возникающими на
границах раздела слоев. Предсказаны новые типы доменных стенок, порождаемых
фрустрациями обменного взаимодействия. Ширина этих стенок определяется
конкуренцией обменных взаимодействий внутри слоев и между слоями и оказывается
много меньше ширины традиционных доменных стенок. Впоследствии существование
подобных стенок подтверждено экспериментально. Построены фазовые диаграммы «толщина
слоя-шероховатость» тонкой пленки ферромагнетика на антиферромагнитной подложке
и спин-вентильной системы ферромагнетик-антиферромагнетик-ферромагнетик с
учетом энергии одноионной анизотропии. Обнаружено, что благоприятным для
появления обменного сдвига в системе ферромагнетик-антиферромагнетик является
наличие взаимно перпендикулярных легких осей, лежащих в плоскости слоев. Кроме
этого, должно существовать связанное состояние доменной стенки на границе
раздела, либо должен иметь место пиннинг доменной стенки дефектами
кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком.
В отдельном цикле работ А.С. Сиговым
детально исследованы причины и условия возникновения в системах с дефектами
типа «случайное локальное поле» и «случайная локальная анизотропия» фаз
Имри-Ма, в которых направление параметра порядка следует за крупномасштабными
флуктуациями случайного поля или случайной анизотропии. В частности, показана
возможность возникновения фазы Имри-Ма в пространстве размерности, превышающей
нижнюю критическую. Продемонстрирована важность учета анизотропии распределения
случайных полей дефектов в пространстве параметра порядка системы. Показано,
что она индуцирует глобальную анизотропию, которая может привести к подавлению
неупорядоченного состояния и возникновению дальнего порядка. Построены фазовые
диаграммы, возникающие в результате конкуренции случайных полей дефектов и
индуцированной дефектами анизотропии. Описан важный частный случай систем со
случайной анизотропией: нанокристаллический ферромагнетик, и рассмотрены
зависимости коэрцитивного поля от размера кристаллитов в случаях их слабой и
сильной связи для систем разной пространственной размерности.
В настоящее время сфера научной
деятельности А.С. Сигова — исследование физических свойств систем с пониженной
размерностью и/или структурным беспорядком и создание на их основе
функциональных устройств нано-, микроэлектроники.
Гранты: РФФИ — конкурс «Научные школы
России» (1996-2013), РФФИ, Минобрнауки РФ, INTAS, ISTC. В 2013-2024 гг. А.С. Сигов
возглавлял Экспертный совет по физике и астрономии РФФИ, им введено в практику
проведение ежегодных тематических междисциплинарных конкурсов. Был
председателем Организационных комитетов ряда Всероссийских конференций по
физике сегнетоэлектриков.
Более полувека отдал А.С. Сигов РТУ
МИРЭА, пятнадцать лет был ректором Университета, затем был избран его президентом,
и им является до сих пор. Несмотря на сложности 90-х годов, А.С. Сигову вместе
со всем коллективом удалось вывести вуз на новый виток развития. Он как ректор
поставил перед коллегами основную стратегическую линию управления Университетом:
сохранение фундаментальных специальностей МИРЭА, развитие всего спектра
информационных и инновационных технологий, модернизация образования, повышение
его качества. Если вуз готовит инженеров-производственников, как считал А.С.
Сигов, то образовательный процесс не может идти в отрыве от научного или
технологического процессов, следовательно, необходимо искать формы их разумного
сочетания, расширять возможности развития научных исследований. Благодаря
усилиям А.С. Сигова в РТУ МИРЭА осуществлялась поддержка молодых ученых, развивалась
научно-исследовательская инфраструктура, сохранялась лидерская позиция
Университета в российских и международных рейтингах.
В РТУ МИРЭА реализована система обучения
«вуз — базовая Кафедра — базовое предприятие», действует около 40 базовых
Кафедр при НИИ РАН, конструкторских бюро и на высокотехнологичных предприятиях
региона. Университет имеет развитую сеть научно-исследовательских центров,
научных лабораторий и студенческих конструкторских бюро, он традиционно
отличается от большинства вузов именно весомой практической составляющей
процесса обучения.
Ректору А.С. Сигову пришлось много
заниматься зданием: университет был построен в 1970-е годы военными строителями
с серьезными отклонениями от проекта, с дефектами и нарушениями — все это надо
было исправлять. И данной хозяйственной деятельности, к сожалению, были
посвящены годы, конечно, из-за этого многое в научном плане не было сделано,
однако так удалось спасти вуз.
Основное направление деятельности А.С.
Сигова в Университете — организация научной работы и развитие научной
инфраструктуры РТУ МИРЭА. Были созданы специализированные научные лаборатории,
не имеющие аналогов в РФ, образовательные центры, студенческие КБ и академии
ведущих мировых IT-компаний.
Под руководством и при участии А.С. Сигова
выполнены десятки научных проектов (ежегодно не менее 8) в рамках Федеральных
целевых программ, грантов РФФИ и РНФ. Он руководит Научно-образовательным
центром интегральной радиофотоники, двумя диссертационными советами, активно
развивает связи Университета в области науки и образования с ведущими
зарубежными вузами и исследовательскими центрами КНР, Тайваня, Голландии,
Японии, Франции, Португалии, США, Великобритании, Узбекистана. В частности,
А.С. Сигов входит как представитель российской стороны в Совет директоров
Международной лаборатории нелинейной магнитоакустики и физики конденсированного
состояния.
В последние годы А.С. Сиговым поставлено
в Университете несколько научно-технологических работ, направленных на решение
задач импортозамещения для отечественной электронной промышленности, написан и
читается студентам оригинальный курс «Физика активных диэлектриков». Он
возглавляет созданный по его инициативе Научно-технический совет Университета,
обладающий широкими полномочиями в области оценки результатов выполняемых
научных работ.
По его инициативе и под его руководством
проведены четыре Международные научно-технические конференции и школы молодых
ученых «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», а также
Европейская конференция по применениям полярных диэлектриков. Конференции имели
широкий резонанс и привлекли внимание мировой научной общественности. Ежегодно
студенты Университета по обмену учатся в лучших профильных институтах Европы.
Известные научные школы и признанные во всем мире достижения ученых вуза стали
основой прочного партнерства с университетами, научными центрами,
производственными корпорациями Германии, Франции, Южной Кореи, Сингапура,
Финляндии, Китая, Японии.
Результат многолетних усилий А.С. Сигова
и его коллег: РТУ МИРЭА — один из крупнейших европейских технических
университетов, признанный в России и в мире современный образовательный и
научно-исследовательский центр, один из лидеров в подготовке специалистов для
наукоемких отраслей науки и техники: телекоммуникаций, информационных и
компьютерных технологий, автоматики, кибернетики, радиотехники и электроники,
химии и биотехнологий.
Под руководством А.С. Сигова защищено 25
кандидатских диссертаций, 17 его учеников стали докторами наук, создана и успешно
развивается научная школа по направлению «Функциональные диэлектрические и
магнитные структуры», участники школы успешно выполнили и выполняют работы по
двум мегагрантам РНФ — «Фотоиндуцированная спиновая динамика в магнитоупругих и
стрейнтронных мультиферроидных наноструктурах» и «Исследование и разработка
новых типов мезопористых органосиликатов с улучшенными механическими свойствами
для субтрактивной металлизации интегральных микросхем». В последние годы
научные достижения коллектива школы лежат в области поиска и характеризации
функциональных материалов для терагерцевых и нейроморфных приложений. Одной
научной группой разработан и создан прототип поляризационно-чувствительного
фототранзистора на основе двумерных графеноподобных полупроводников, работающего
в оптическом диапазоне, а также построены компьютерные модели, позволяющие
прогнозировать рабочие параметры подобных устройств. Создан экспериментальный
образец спинтронного эмиттера, превосходящего по эффективности
оптико-терагерцевого преобразования все известные аналоги — уникальность этой
разработки состоит в возможности контроля и управления поляризацией путем
изменения внешнего магнитного поля. В области разработки неразрушающих методик
исследования наноматериалов был впервые успешно применен метод поляриметрии
сигнала второй оптической гармоники для магнитных сред, позволяющий
визуализировать отдельные компоненты намагниченности, в том числе в области
магнитных доменных границ. Другие важные результаты научной школы заключатся в
теоретическом и экспериментальном обосновании и практической реализации нового
направления в микроэлектронике: интегрированные сегнетоэлектрические устройства
для элементной базы информационных систем. Созданы физико-химические основы
формирования тонких пленок и наноструктур активных диэлектриков,
органически-неорганических гибридов, диэлектриков с низкой диэлектрической
проницаемостью для элементной базы электроники на новых физических принципах.
А.С. Сиговым опубликовано более 500
научных работ, 16 учебников и учебных пособий, 9 монографий, получено 40
патентов. Монографии получили широкое признание не только в России, но и за
рубежом. Специалистам известны его труды, написанные индивидуально или в соавторстве: «Defects and Structural Phase Transitions», «Influence
of Single-Ion Anisotropy on the Exchange Bias in «Ferromagnet-Antiferromagnet» System»,
«Наноэлектроника. Энциклопедия систем жизнеобеспечения», «Theory of
Ferromagnetic-Antiferromagnetic Interface Coupling», «Фрустрированные магнитные
наноструктуры», «Концентрационный фазовый переход в системах со слабой
анизотропией», «Поверхностный спин-флоп переход в антиферромагнетике»,
«Стабилизация сверхпроводящих магнитных систем», «Фрустрированные многослойные
структуры ферромагнетик-антиферромагнетик: выход за рамки обменного
приближения», «Исследование мультиферроика Bi0.8La0.2FeO3 методом эффекта
Мёссбауэра на ядрах 57Fe», «Поверхностный спин-флоп-переход в
антиферромагнетике», «Многослойные магнитные наноструктуры. «Плазмонное
усиление линейного двулучепреломления и линейного дихроизма в анизотропных
оптических метаматериалах», «Новый тип доменных стенок — доменные стенки,
порождаемые фрустрациями в многослойных магнитных наноструктурах», «Новый тип
доменных границ в многослойных магнитных структурах», «Кинетические явления в
металлах с квантовыми дефектами», «Релаксация спина мюона в кристаллах с
дефектами», «Об асимптотической эволюции начального температурного профиля в
системах с двумя устойчивыми положениями равновесия» и др.
Главный редактор научных журналов «Электроника»,
«Наноматериалы и наноструктуры», «Russian Technological Journal»), зам.
главного редактора международных журналов «Integrated Ferroelectrics»,
«Ferroelectrics» и «Fеrrоеlесtriсs Соmmuniсаtiоns» (США); входит в состав
редакционных коллегий и советов журналов: «Известия РАН (серия физическая)»,
«Микросистемная техника», «Инженерное образование», «Фотоника», «Интеллектуальные
системы», «Успехи прикладной физики», «Известия вузов. Электроника», «Вестник
РФФИ», «Нано- и микросистемная техника», «Тонкие химические технологии»,
«РЭНСИТ: Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии».
Почётный профессор и доктор ряда
российских и зарубежных университетов
Член Бюро Отделения нанотехнологий и
информационных технологий РАН, руководитель секции нанотехнологий ОНИТ РАН, член
бюро — председатель секции физик сегнетоэлектриков и диэлектриков Объединенного
Совета РАН по физике конденсированных сред, член бюро Совета «Научные основы
построения вычислительных, телекоммуникационных и локационных систем», член
Научно-издательского совета РАН, член Научного совета РАН «Науки о жизни», член
Экспертного совета РАН, председатель Экспертной комиссии по присуждению премии
имени А.А. Расплетина.
Член Межакадемического совета по
проблемам развития Союзного государства (российская часть), член совета Фонда
инфраструктурных и образовательных программ РОСНАНО, эксперт ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ,
член комиссии по экспертизе работ, представляемых к присуждению премий
Правительства РФ в области образования, комиссии Минобрнауки России по отбору
кандидатов из числа студентов и аспирантов на получение стипендий Президента РФ
и Правительства РФ, Экспертного совета Минпромторга РФ по стипендиям за
выдающиеся достижения в создании прорывных технологий и разработке современных
образцов вооружения, военной и специальной техники, член Научно-технического
совета Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России, член
ряда советов Минобрнауки России, член Совета по науке при Департаменте
образования и науки г. Москвы.
Увлечение: антикварные книги, первые
издания трудов российских ученых в области естественных наук, русская история и
философия, русские поэты конца 19 - начала 20 века. Вдохновитель и организатор
Межвузовского литературного форума им. Н.С. Гумилёва «Осиянное Слово» (который
с тех пор проводится ежегодно), член Национального союза библиофилов.
В 2012 году был доверенным лицом В.В.
Путина на выборах Президента РФ.
Заслуженный деятель науки РФ.
Награжден орденом Почета, орденом «За
заслуги перед Отечеством» IV и III ст., медалями.
Лауреат Государственной премии РФ,
премии Правительства РФ в области образования (2008) и двух премий
Правительства РФ в области науки и техники (2000, 2011).
Отмечен юбилейной медалями «300 лет
Российской академии наук», «200 лет Министерству обороны», «300 лет российского
флота».
Удостоен нагрудных знаков «Почетный
работник высшего профессионального образования РФ», «Почетный работник науки и
техники РФ», «Почетный работник сферы образования Российской Федерации».
Ему вручены медаль и диплом ЮНЕСКО «За
вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».