http://93.174.130.82/news/shownews.aspx?id=af379567-9ba4-477f-bec1-7d1cade0814d&print=1© 2024 Российская академия наук
АКАДЕМИК
Асеев Александр Леонидович
Александр Леонидович Асеев родился 24 сентября 1946 года в г. Улан-Удэ.
В 1968 году окончил Физический факультет Новосибирского государственного университета.
В Сибирском отделении РАН с 1968 года. По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП).
С 2003 по 2013 год - директор Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
Председатель Сибирского отделения РАН.
Вице-президент РАН.
Член-корреспондент c 2000 года, академик РАН c 2006 года - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.
Специалист в области элементной базы и материалов микро- и наноэлектроники, диагностики полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур.
Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. Получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.
Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.
Под его руководством в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий ртуть теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.
Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.
Автор и соавтор более 250 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.
Член редколлегий журналов РАН: «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов».
Заместитель председателя Координационного совета по инновационной деятельности и интеллектуальной собственности РАН.
Член Межакадемического совета по проблемам развития Союзного государства (Российская часть) .
Иностранный член Национальной академии наук Беларуси.
Награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.