Версия для печати

Академику Шабанову Василию Филипповичу - 75 лет!

АКАДЕМИК

ШАБАНОВ ВАСИЛИЙ ФИЛИППОВИЧ

 Василий Филиппович Шабанов родился 17 мая 1940 года в д. Михайловка Седельского района Омской области.

В 1963 года окончил Омский государственный педагогический институт по специальности "преподаватель физики и химии".

С 1964 года работает в Институте физики им. Киренского СО РАН, а с 2004 года – директор этого института. Директор Специального конструкторско-технологического бюро «Наука» КНЦ СО РАН с 1986 года.

Член-корреспондент c 1991 года, академик РАН c 2003 года – Отделение химии и наук о материалах РАН.

Основными направлениями научных исследований В.Ф. Шабанова являются исследования оптических и спектральных характеристик анизотропных сред и создание на их основе оптоэлектронных элементов и устройств. В его работах установлен факт изменения поляризуемости молекул при переходе из свободного состояния в кристаллическое.

Развиты количественные методы определения эффективных поляризуемостей и тензоров локального поля, таким образом решена задача, сформулированная еще в классических работах X. Лорентца. На этой основе, с учетом эффектов запаздывания, получены основные уравнения кристаллоптики, что позволяет интерпретировать и проводить расчеты динамических и оптических свойств анизотропных сред, открывает перспективу материалов с заданными свойствами (упругие константы, показатель преломления, нелинейные восприимчивости, интенсивность линий).

Им впервые показано, что потенциальная функция водородной связи в некоторых сегнетоэлектрических кристаллах имеет двухминимумный ассиметричный вид уже в параэлектрической фазе, что объясняет эффект изотопического неизоморфизма. Обнаружен иинтерпретирован эффект нелинейного резонанса колебаний вблизи Тс и выяснена роль нецентральных взаимодействий в динамике кристаллических решеток.

Исследованы одномерные фотоннокристаллические (ФК) структуры, организованные на основе жидких кристаллов, разработан способ управления спектром пропускания и локализацией электромагнитного поля в дефектных модах ФК, выявлено резонансное взаимодействие дефектных мод. Разработан композитный материал с рекордным быстродействием на основе сегнетоэлектрических ЖК и на его основе созданы модуляторы света. Созданы работающие на новых принципах ЖК-индикаторы с использованием композитных материалов, сверхчувствительные приборы для количественного анализа веществ и качества поверхности.

Эти работы способствовали созданию физических основ управления оптическими свойствами фотоннокристаллических структур, интенсивно развивающихся в последние годы.

Им разработаны физикохимические основы технологии получения новых материалов с уникальными свойствами при комплексной переработке техногенного сырья.

Преимуществом разработанного метода получения оптически прозрачных стекломатериалов из отходов промышленности является возможность кристаллизации из аморфного состояния фаз с различными тепловыми коэффициентами расширения не только по величине, но и по знаку. Такие материалы необходимы для создания фотоннокристаллических структур. Использование данных ситаллов в качестве подложек для пленок магнитодиэлектриков позволяет получать (в отличие от подложек из кварца) более мелкодисперсную кристаллическую структуру, что снижает кристаллические шумы при магнитооптическом считывании информации. Разработки защищены патентами России, США и Мексики, реализованы в промышленном масштабе при производстве теплоизоляционных материалов на ГРЭС-2 (г. Зеленогорск).

Среди его учеников 7 докторов и 21 кандидат наук.

Он автор и соавтор более 250 научных работ, в том числе пяти монографий.

Член редколлегии журнала «Оптика атмосферы и океана» и «Журнала Сибирского федерального университета. Серия «Математика и физика», заместитель главного редактора журнала «Наука из первых рук».

Член президиума СО РАН, член Научного совета РАН по проблеме «Спектроскопия атомов и молекул».

Председатель Красноярского научного центра СО РАН.

Член Научного совета РАН по проблеме «Спектроскопия атомов и молекул».

Председатель Совета научных центров СО РАН, зам. председателя Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН.

Награжден орденом Почета и орденом «За заслуги перед Отечеством » IV степени.