Академику Каплянскому Александру Александровичу - 90 лет!

Поздравление Каплянскому Александру Александровичу

Александр Александрович Каплянский родился 14 декабря 1930 года в Ленинграде.

В 1953 году окончил с отличием физический факультет Ленинградского Государственного Университета. Поступил в аспирантуру Физико-технического института и с тех пор научная судьба неразрывно связана с этим Институтом. В 1972-2014 гг. возглавлял лабораторию спектроскопии твердого тела ФТИ (в настоящее время — Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН), ныне является научным советником этой лаборатории.

С 1987 года — профессор Санкт-Петербургского госуниверситета, зав. филиалом кафедры физики твердого тела физического факультета в ЛФТИ.

Член-корреспондент АН СССР c 1987 года, академик РАН c 2003 года — Отделение физических наук.

Академик А.А. Каплянский — советский и российский физик, всемирно признанный ученый в области физики твердого тела и спектроскопии диэлектриков и полупроводников, основатель оптической пьезоспектроскопии твердых тел, автор принципиально важных научных результатов в нескольких направлениях физики полупроводников и диэлектриков. Его исследования, получившие мировое признание, выполнены в нескольких направлениях: экситонная спектроскопия полупроводников, оптическая и фотоэлектрическая спектроскопия диэлектриков, легированных ионами группы железа и группы редких земель («лазерные кристаллы»), сверхвысокочастотная акустика терагерцового диапазона, фотонные кристаллы, спектроскопия структурных фазовых переходов. В.В. Путин, поздравляя А.А. Каплянского, писал: «Вы посвятили свою жизнь отечественной науке, развитию ее самых перспективных и востребованных направлений. Широкий диапазон исследований, передовые открытия и активная педагогическая практика принесли Вам высокое профессиональное признание».

В 1957 году А.А. Каплянский защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую проблеме обнаружения и исследования линейчатой структуры края фундаментального поглощения полупроводников, связанной с оптическим возбуждением экситонов. В 1967 году защитил докторскую диссертацию по теме «Пьезоспектроскопия кристаллов».

В первые годы работы А.А. Каплянский участвовал в исследованиях экситонов в полупроводниках, проводимых под руководством чл.-корр. АН СССР Е.Ф. Гросса. Экспериментально обнаружил явление оптической анизотропии кубических кристаллов в области экситонного резонанса (1960).

В конце 50-х годов А.А. Каплянский начал исследовать оптические спектры диэлектрических «лазерных» кристаллов, легированных примесными ионами редких земель и переходных металлов. В 1959 году он предложил новый «пьезоспектроскопический» метод изучения микроструктуры примесных центров и дефектов в кристаллах, основанный на обнаруженном им явлении расщепления спектральных линий центров при направленной упругой деформации кристаллов (расщепление Каплянского).

В 1974 году А.А. Каплянским с сотрудниками был открыт новый класс ферроэластиков (гомологический ряд галогенидов одновалентной ртути).

С 1975 года с помощью оптических методов А.А. Каплянский с сотрудниками активно развивает исследования фундаментальных свойств неравновесных акустических терагерцовых фононов в кристаллах. В 1983 году им обнаружено новое явление в примесных диэлектриках (рубин) — образование при оптической накачке устойчивых доменов сильного (105-106 В/см) электрического поля противоположного знака. Экспериментально наблюдалась абсолютная отрицательная проводимость оптически возбужденного рубина.

С 1995 года А.А. Каплянский с сотрудниками развивает исследования фундаментальных свойств структурированных диэлектрических материалов.

В наноразмерных диэлектриках спектроскопически наблюдался ряд общих для наночастиц эффектов. Совместная с лабораторией анизотропных материалов ФТИ работа А.А. Каплянского была первой в мировой литературе (1995), где в качестве фотонного кристалла для видимой области спектра использовался синтетический опал. Эти работы стимулировали в институте широкое развитие исследований фотонно-кристаллических систем.

Глава научной школы.

Им опубликовано более 350 научных работ.

Главный редактор журнала «Физика твердого тела» РАН, член редсовета журнала «Успехи физических наук».

Многие годы входил в оргкомитеты международных конференций по люминесценции, физике фононов, дефектам в диэлектрических материалах, динамическим процессам в возбужденном состоянии твердых тел.

Награжден орденом Почета, орденом Дружбы.

Лауреат Ленинской премии, лауреат Государственной премии.

Удостоен премии имени А.Ф. Иоффе РАН — за цикл работ «Спектроскопические исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах»; премии имени Д.С. Рождественского РАН — за цикл работ «Спектроскопические исследования структуры примесных центров и электронных процессов в диэлектриках, содержащих ионы редких земель и переходных металлов».

Ему вручена премия Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского центра РАН — за исследования электронных и колебательных состояний в кристаллах методами оптической спектроскопии.

Отмечен международной премией по Люминесценции, премией им. Гумбольдта.