Академику Бугаеву Александру Степановичу - 75 лет!

Александр Степанович Бугаев родился 25 августа 1947 года в г. Горловка Сталинской (ныне — Донецкой) области Украинской ССР.

В 1971 году окончил факультет физической и квантовой электроники Московского физико-технического института (МФТИ, Национальный исследовательский университет). Далее в этом Институте — аспирант, ассистент кафедры полупроводниковой электроники, доцент, профессор, заместитель заведующего кафедрой твердотельной электроники и радиофизики, с 1999 года — заведующий кафедрой вакуумной электроники. Одновременно с 1991 года — заведующий лабораторией Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова (ИРЭ) РАН, с 1996 года — заместитель директора государственного предприятия «НИИ электронной и ионной оптики», руководитель Центра открытых систем и высоких технологий МФТИ. Главный научный сотрудник управления научной и инновационной деятельности Южно-Уральского государственного университета.

Профессор Департамента компьютерной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ, профессор Санкт-Петербургского Государственного университета аэрокосмического приборостроения (ГУАП).

Член-корреспондент РАН c 1994 года, академик РАН c 2000 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий.

Академик А.С. Бугаев — советский и российский физик, ведущий специалист в области физики полупроводников, акусто- и спин-волновой электроники, элементной базы приборов на основе молекулярно-электронного переноса, разработки полупроводниковых и твердотельных приборов и устройств сверхбыстрой обработки информации, информатики и математического моделирования.

В 1974 году защитил кандидатскую диссертацию «К теории разогревных акустоэлектронных явлений в полупроводниках», в 1984 году защитил докторскую диссертацию «Макроскопическая теория взаимодействия ультразвука с волновыми возбуждениями полупроводников и магнитных диэлектриков», с 1987 года — профессор.

Область научных интересов А.С. Бугаева: физика конденсированного состояния, физика полупроводников, акусто- и спин-волновая электроника, информационные технологии, коммуникационные системы.

В области акустоэлектроники А.С. Бугаевым были созданы теоретические основы и проведено моделирование разогревных акустоэлектронных явлений в полупроводниках и распространения акустических волн в низкочастотных переменных внешних полях в условиях близких к резонансным, предсказано возникновение в полупроводниках под действием ультразвука волн электронной температуры, акустической перегревной неустойчивости.

А.С. Бугаевым проведен анализ принципиальных особенностей приборов с акустическим переносом заряда, акустических линий задержки и фильтров СВЧ-сигналов; построена теория взаимодействия ультразвуковых колебаний с автоволновыми системами, волнами электронно-дырочной плазмы, волнами пространственной перезарядки ловушек; в рамках квазидинамической модели пространственнодвумерных процессов исследованы явления переноса неравновесной электронно-дырочной плазмы полупроводников акустической волной.

В области молекулярно-электронного переноса А.С. Бугаевым созданы новые методы моделирования выходных характеристик преобразующих элементов электрохимических датчиков движения, а также найдены инновационные подходы к их созданию с применением современных прецизионных методов изготовления микроструктур планарного типа на основе микроэлектронных и лазерных технологий.

Обширный цикл исследований был выполнен А.С. Бугаевым в области спинволновой электроники и магнитооптики: построена теория взаимодействия быстрых упругих волн с магнитостатическими волнами в слоистых структурах; предсказано возникновение связанных магнитоупругих волн и возможность их фильтрации вследствие резонансного взаимодействия ультразвуковых и магнитостатических волн; развиты теория и методики возбуждения гиперзвуковых волн дипольно-обменными магнитостатическими колебаниями; предложены способы усиления магнитостатических и быстрых магнитоупругих волн дрейфом электронов в слоистой структуре феррит-полупроводник; изучены причины деградации и пути повышения надежности и долговечности аморфных магнитных пленок, используемых для реверсивной магнитооптической записи информации.

На основе работ А.С. Бугаева созданы приборы нового типа: высокочувствительные детекторы акустических и магнитостатических волн, СВЧ-резонаторы, генераторы и модуляторы, линии задержки, преобразователи, полоснопропускающие и заграждающие фильтры, расширители и ограничители динамического диапазона, устройства свертки, преобразования Фурье и корреляционной обработки сигнала, способы исследования и измерения таких параметров твердых тел, как пьезомодуль, константы деформационного потенциала и магнитострикции, скорость звука, механизмы потерь и время релаксации энергии носителей заряда.

А.С. Бугаев является научным руководителем Центра открытых систем и высоких технологий — в Центре проводятся научные исследования в области информатики; студенты и аспиранты обучаются теории и практике разработки больших информационно-аналитических систем. Является также заведующим лабораторией волновой электроники Института радиотехники и электроники РАН, где проводятся исследования по физике низкоразмерных систем.

А.С. Бугаев является научным руководителем Лаборатории дистанционного зондирования МГТУ им. Н.Э. Баумана, где ведутся работы в области радиоголографии гигагерцового диапазона. Результаты этих работ нашли применение в подповерхностной радиолокации, в новых системах безопасности, в неразрушающем контроле диэлектрических композиционных материалов, применяемых в аэрокосмической промышленности; в радиолокация биологических объектов. В настоящее время под руководством и при активном содействии академика Бугаева и в кооперации с учреждениями Минкульта РФ разработанные технологии применяются для обследования объектов культурного наследия в различных областях: от художественных произведений (старинных икон) до египетских пирамид. Исследования, выполненные в лаборатории, нашли признание, как в нашей стране, так и за рубежом.

А.С. Бугаевым подготовлено 9 докторов и 21 кандидатов наук.

Он опубликовал более 250 научных работ, имеет ряд изобретений.

Главный редактор журнала «Успехи современной радиоэлектроники», член редколлегий журналов «Прикладная физика», «Радиотехники и электроника» и ряда других журналов РАН.

Избирался членом Президиума РАН, член Бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, член Совета РАН по инновационным проблемам транспорта и логистики, заместитель председателя Комиссии РАН по работе с молодежью.

Вице-президент Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи им. А.С. Попова, председатель Научно-технического совета по комплексной экспертизе инновационных проектов правительства г. Москвы, член научно-технических советов ПАО «Газпром» и ОАО «РЖД».

Состоял председателем Экспертного совета РФФИ по информационным системам и телекоммуникациям, председатель Экспертного совета ВАК по электронике, член Ученых советов МФТИ и ИРЭ РАН, трех диссертационных докторских советов.

Член международной ассоциации специалистов в области техники — Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), являющейся мировым лидером в области разработки стандартов по радиоэлектронике, электротехнике и аппаратному обеспечению вычислительных систем и сетей.

Лауреат премии Ленинского комсомола, лауреат Государственной премии РФ и трижды — лауреат премии Правительства РФ.