Председательствует
на заседании президент РАН
академик РАН А.М. Сергеев.
Члены президиума
заслушали научное сообщение
«К 90-летию академика РАН Ж.И. Алферова».
«Жорес Иванович Алфёров. Жизнь и деятельность Нобелевского лауреата». Академик
РАН Геннадий Яковлевич Красников, академик-секретарь ОНИТ РАН.
Жорес
Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР.
Его родители были убежденными коммунистами и потому свое имя Жорес получил в
честь известного французского социалиста, основателя Объединенной
социалистической партии Франции Жана
Жореса, а старшего брата родители назвали Марксом в честь Карла Маркса. Во
время войны семья Алфёровых жила в Свердловской области. Отец, бывший командир
кавалерийского полка Красной Армии, работал директором оборонного завода,
производящего пороховую целлюлозу.
Старший брат Маркс ушел добровольцем на
фронт в 17 лет прямо со студенческой скамьи. Маркс Алфёров воевал командиром
взвода и роты под Сталинградом, на Курской дуге, был награжден орденом Красной
Звезды и медалью «За отвагу». В октябре 1943 г. он провёл три дня с семьёй
в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт. И эти три дня,
фронтовые рассказы старшего брата, его страстную юношескую веру в силу науки и
инженерной мысли Жорес запомнил на всю жизнь. Маркс Алфёров погиб 15 февраля
1944 года в бою у деревни Хильки в последние дни Корсунь-Шевченковской
операции, похоронен в братской могиле. По словам Жореса Ивановича, сила духа и моральные качества старшего
брата оказали большое влияние на формирование его характера: «Он был человеком более талантливым, более целеустремленным и чистым,
чем я».
После войны
семья Алфёровых вернулась в Минск. Там будущий ученый учился в средней школе.
Его учитель физики сыграл огромную роль в его дальнейшей жизни: «он перевернул меня, и мне захотелось заниматься
физикой и электроникой после того, как он рассказал мне про катодный осциллограф
и локацию».
Теперь эта школа носит его имя — минская гимназия №42 имени лауреата
Нобелевской премии Ж.И. Алфёрова.
Закончив
школу с золотой медалью, он отучился год в Белорусском политехническом
институте, после чего поехал поступать в ленинградский ЛЭТИ, куда его приняли
на второй курс факультета электронной техники без экзаменов. В то время институт был одним из «пилотных» вузов в
области отечественной электроники и радиотехники.
Там, начав в
1950 году экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной,
незадолго до этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых
фотоприёмников в ИК-области спектра, Ж.И. Алфёров впервые столкнулся с
полупроводниками, ставшими главным делом его жизни. В 1952 году он с отличием
окончил ЛЭТИ по специальности «электровакуумная техника».
В декабре
1952 года в ЛЭТИ проходило распределение. Жорес Иванович мечтал работать в
Ленинградском физико-техническом институте Академии наук СССР (ЛФТИ), которым
руководил его основатель — академик Абрам Иоффе и где в разные годы
работали академики Игорь Курчатов и Юлий Харитон и нобелевские лауреаты Петр
Капица и Лев Ландау.
30 января 1953 года Жорес Иванович начал
работать в Ленинградском
физико-техническом институте ЛФТИ. В лаборатории советского физика
Владимира Тучкевича, ставшего потом академиком и Героем Социалистического
Труда, он занимался разработкой первых советских транзисторов и силовых
германиевых приборов. В мае 1953 года первые советские транзисторные приёмники
демонстрировались «высокому начальству», а в октябре в Москве работу принимала
правительственная комиссия. В очень короткое время в лаборатории доктора
физ.-мат. наук профессора В.М. Тучкевича были созданы первые советские
германиевые силовые выпрямители, германиевые фотодиоды и кремниевые солнечные
батареи, исследовано поведение примесей в германии и кремнии.
В мае 1958 году к Ж.И. Алфёрову обратился
Анатолий Петрович Александров с просьбой разработать полупроводниковые
устройства для первой советской атомной подводной лодки «Ленинский комсомол».
Для решения этой задачи нужны были принципиально новые технология и конструкция
германиевых вентилей. За выполнение этой задачи в 1959 году Ж.И. Алфёров получил свою первую награду — орден «Знак Почета».
Тогда же он начал изучать физику
полупроводников и гетероструктур.
Работая в
институте Иоффе, Жорес Иванович защитил свою кандидатскую диссертацию,
посвящённую разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых
выпрямителей в 1961 году. В 1970 году он защитил докторскую диссертацию на тему
«Гетеропереходы в полупроводниках», в которой обобщил новый этап исследований
гетеропереходов в полупроводниках и создал первый в мире гетеролазер на известной
теперь во всем мире гетеропаре галлий арсенид — алюминий-галлий арсенид (GaAs —
AlGaAs).
Занятия
прикладной наукой у Жореса Ивановича шли параллельно с преподавательской
работой. В 1972 году Жорес Иванович стал профессором, а через год — заведующим
базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. Он возглавлял кафедру 30 лет, а
ее преподавателями были известные ученые. Время создания базовой кафедры
совпало с периодом интенсивного развития информационных технологий,
базирующихся на достижениях электроники и оптоэлектроники.
Зимой 1971
года Алфёров улетел в США, где Франклиновский институт за разработку
гетеролазера присудил ему медаль Стюарта Баллантайна. Её лауреатами были известные учёные, в том
числе 11 лауреатов Нобелевской премии.
В 1972 году
он получил Ленинскую премию за фундаментальные исследования гетеропереходов в
полупроводниках и создание новых приборов на их основе.
В 1987 году
он возглавил Физико-математический
институт им. А.Ф. Иоффе и руководил
им по 2003 год, а до 2006 года оставался председателем учёного совета
института. В ФТИ им. Иоффе
под его руководством была разработана новая конструкция лазеров с
использованием технологии гетероструктур с предельным размерным квантованием — это
сделало Россию лидером в данной области.
В 1988 году
он стал деканом физико-технического факультета Ленинградского, затем — Санкт-Петербургского
государственного политехнического университета (СПбГПУ).
Жорес
Иванович — почетный
доктор более 60 университетов в мире,
автор сотен научных работ, трех монографий и 50 изобретений. Среди его учеников более ста кандидатов и
докторов наук. Наиболее известные представители школы: члены-корреспонденты РАН
Д.З. Гарбузов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков; доктора физ.-мат. наук:
В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С.А. Гуревич, Ю.В. Жиляев, П.С.
Копьев и др.
За свои заслуги Жорес Иванович был принят
почетным членом многих российских и иностранных академий, в том числе Академии
Наук Республики Беларусь, Академии наук Украины, Оптического общества (США),
единственный из российских ученых, кто был избран в 1990 г. иностранным членом
Академии наук США и иностранным членом Национальной инженерной академии наук
США, Академии науки и технологии Кореи, Испанской инженерной академии,
Национальных Академий Наук Азербайджана, Казахстана, Литвы и Молдовы, Польской
и Болгарской Академий наук, Академии наук «Forty» (Италия), Академии наук
Китая.
В 1972 году Жорес Иванович Алфёров был избран
членом-корреспондентом АН СССР, а в 1979 году — академиком Академии наук СССР.
В 1990-1991 годах он был вице-президентом АН СССР, с 1991 по 2017 год — вице-президентом
Российской академии наук.
От Академии
наук СССР Ж.И. Алфёров активно занимался отечественной электронной
промышленностью на этапе ее становления и развития в 1970-80 гг. Он плотно
общался не только со всеми советскими министрами электронной промышленности, но
и с видными иностранными учеными в этой области. С американским физиком Джоном
Бардиным, лауреатом Нобелевской премии за изобретение транзистора совместно с
Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном, с изобретателем первого
полупроводникового светодиода Ником Холоньяком и многими другими.
В 1960
году Жорес Иванович организовал передачу на саранский завод «Электровыпрямитель»
технологии производства силовых приборов и в Саранске очень тепло о нем
вспоминают. Он работал с белорусскими предприятиями — с «Планаром», который
разрабатывает оборудование для микроэлектронного производства и другими.
В 2000 году
Шведская королевская академия наук удостоила Жореса Ивановича Алфёрова
совместно с немецким физиком Гербертом Кремером Нобелевской премией «За
разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных
схемах и оптоэлектронике».
На рубеже
тысячелетий стало очевидно, что будущее информационных систем за компактными и
быстрыми устройствами, которые позволяет передавать огромное количество
информации за короткий промежуток времени. Созданные на базе исследований
Алфёрова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную
революцию. Благодаря открытию стало возможным создание волоконно-оптической
связи и высокоскоростного доступа в Интернет, а значит, и формирование целых
промышленных отраслей и всей нашей современной жизни. Благодаря исследованиям Ж.И. Алфёрова фактически
создано новое направление: гетеропереходы в полупроводниках.
Жорес Иванович был очень многогранной
личностью и помимо научной работы вел активную общественно-политическую
деятельность. С 1989 по 1992 год он был депутатом Верховного совета СССР от
Академии наук СССР. C 1995 года — депутат Государственной думы Федерального
собрания РФ, член комитета по образованию и науке. В своей политической
деятельности неизменно отстаивал интересы российской науки и Академии.
Любимым «детищем»
Жореса Ивановича был Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный
центр нанотехнологий РАН, ректором-основателем которого он стал в 2002 году.
Ранее он был известен как Научно-образовательный центр ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН.
В 2009 году университет был реорганизован путём присоединения к нему
Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра
РАН, лицея «Физико-техническая школа» при Физико-техническом институте им. А.Ф.
Иоффе РАН и получил современное название. Сегодня университет носит имя своего
основателя — Жореса Ивановича Алфёрова. В 2004 году он основал и возглавил
кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологии и
телекоммуникаций (ИФНиТ) университета. Был научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ.
В 2010 году Жорес Иванович был назначен научным руководителем инновационного центра
в Сколково. Тогда же, в 2010 году он стал сопредседателем Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».
Как сопредседатель Консультативного научного совета Фонда он был
инициатором выездных заседаний в Америке, в Германии, в Израиле, почти во всех
странах СНГ.
«Успех «Сколково»,
как не территории, а идеологии, будет связан, на самом деле, с очень непростым,
в том числе и для российских ученых, симбиозом нашей научной общественности,
научных работников с бизнесом, с научным бизнесом. Большой успех будет связан
только с тем, что мы найдем такие проекты, которые дают возможность выйти на
совершенно новые рубежи. Здесь важно сегодня сосредоточиться на
медико-биологических исследованиях, в которые очень активно идут
информационные, полупроводниковые технологии, наноструктуры».
Жорес Иванович Алфёров имеет множество правительственных
и международных наград и премий: он был лауреатом государственных премий,
полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством», был награжден орденом
Ленина, высокими наградами Белоруссии, премиями мировых научных сообществ:
премией Киото, Карпинского, Холоньяка и многими другими.
В 2019 году Президент РФ В.В. Путин
подписал Указ «Об увековечении памяти Ж.И. Алфёрова». Отмечая выдающийся
вклад Ж.И. Алфёрова в развитие отечественной и мировой науки, Президент
поручил учредить 10 персональных стипендий имени Ж.И. Алфёрова для молодых
ученых в области физики и нанотехнологий, присвоить имя Ж.И. Алфёрова «Санкт-Петербургскому
национальному исследовательскому Академическому университету» РАН, установить
мемориальную доску, посвященную Ж.И. Алфёрову, а также назвать его именем
одну из улиц Санкт-Петербурга.
Уход из жизни Жореса Ивановича стал
невосполнимой утратой не только в России, но в масштабах всего мира. Благодаря
энергии и таланту Жореса Ивановича свершились важные открытия и прорывы в научном
знании, создавшие основу современного высокотехнологичного мира. Он был не
только выдающимся ученым, но и настоящим гражданином нашей страны, гражданином «с
большой буквы». Он всегда твердо отстаивал свои взгляды на всех уровнях. Нам
сегодня таких людей очень не хватает. Хотелось бы, чтобы память о нем навсегда
осталась в наших сердцах и в истории России.
х х х
«Жорес Алферов и его школа физики и
технологии полупроводниковой гетероструктурной фотоники». Д.ф.-м.н. С.В. Иванов — директор ФТИ им. А.Ф.
Иоффе.
Роль
Жореса Ивановича Алферова в создании нового направления в физике
полупроводников — физики и технологии полупроводниковых гетероструктур — трудно
переоценить. Его открытие и экспериментальные доказательства преимуществ
контролируемого управления профилем энергетических зон в полупроводниках с
использованием идеальных гетеропереходов привели к созданию широкого спектра
новых полупроводниковых электронных и оптоэлектронных устройств с
характеристиками, радикально превосходящими таковые у приборов на основе
объемных полупроводниковых материалов. Эта новая гетероструктурная элементная
база очень быстро изменила лицо современного мира и открыла эпоху
телекоммуникационных технологий. Награждение его вместе с Гербертом Крёмером и
Джеком Килби Нобелевской премией по физике в 2000 году за «фундаментальную
работу, заложившую основы современных информационных технологий, особенно в
области разработки полупроводниковых гетероструктур, используемых в
высокоскоростной и оптической электронике», продемонстрировало высокую оценку
человечеством его научного вклада.
Помимо
области полупроводниковых гетеролазеров, где группой Ж.И. Алферова, работавшей
в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, в конце 60-х — начале 70-х годов прошлого века были
получены основные приоритетные на мировом уровне результаты по непрерывным
лазерам на основе двойных гетероструктур AlGaAs,
работающим при комнатной температуре. Полупроводниковые гетероструктуры А3В5
стали основой современной микро- и оптоэлектроники, солнечной энергетики,
фотосенсорики, силовой электроники, оптических коммуникаций и информационных
технологий. Благодаря научно-техническим усилиям и активной просветительской
деятельности Ж.И. Алферова и его коллег, эти научные разработки ФТИ в течение
3-5 лет были доведены до промышленного внедрения в отраслевых институтах и на
предприятиях в СССР, а параллельно и в передовых компаниях США и некоторых
европейских стран. В 1986 году первая советская орбитальная космическая станция
была оснащена энергоблоком на основе гетероструктурных солнечных
преобразователей GaAs/AlGaAs, прослуживших исправно 15 лет.
С
открытием в США новых эпитаксиальных технологий, таких как МОС-гидридная и
молекулярно-пучковая (МПЭ) эпитаксии, которые оказались в состоянии создавать
совершенные гетероструктуры с контролем химического состава и легирования на
уровне 1 атомного слоя, Ж.И. Алферов инициировал в ФТИ им. А.Ф. Иоффе активные
работы в этом направлении в начале 80-х годов, в которые наряду со своими
опытными коллегами направил своих учеников — выпускников базовой кафедры
оптоэлектроники ФТИ, созданной им в его родном университете — ЛЭТИ им. В.И.
Ульянова (Ленина). В дальнейшем, в постперестроечное время, эти
исследовательские группы пополнились физиками и технологами нового поколения,
получившими образование в Политехническом и Академическом университетах.
Наступила эра квантовых нанотехнологий, одним из первых продуктов которой стали
лазерные диоды (ЛД) с раздельным ограничением области генерации (квантовой ямы)
и области распространения излучения (волновод на основе полупроводниковой
сверхрешетки), разработанные в ФТИ в 1987 г. и продемонстрировавшие сверхнизкие
недостижимые ранее пороговые токи.
Изготовление
на этой базе в ФТИ методом МПЭ первых в мире ЛД с самоорганизующимися
квантовыми точками (КТ), первоначально реализованных с помощью КТ InAs для ИК и
телекоммуникационного спектрального диапазона, а затем с КТ CdSe/ZnSe для видимого сине-зеленого диапазона, позволили
достичь более длинных волн по сравнению с лазерами на квантовых ямах, более
высокой термостабильности и более низкого порогового тока.
В
течение последних нескольких десятилетий учениками «Алферовской школы» в ФТИ
им. А.Ф. Иоффе, а затем и в Академическом университете, был существенно
расширен спектр создаваемых приборов гетероструктурной фотоники и
оптоэлектроники, использующих низкоразмерные гетероструктуры, также был
расширен и ряд используемых полупроводниковых материалов и, соответственно,
перекрываемый спектральный диапазон — от среднего ИК до глубокого УФ (на основе
AlGaN).
В
докладе кратко представлены новые разработки ФТИ им. А.Ф. Иоффе в области
высокоэффективных трехкаскадных солнечных элементов А3В5/Ge для космического и наземного применения, мощных
полупроводниковых лазеров и приемо-передающих модулей для оптоволоконных
фотонных энергоинформационных трактов, вертикально-излучающих лазеров для
компактных стандартов частоты и ядерных магнитных гироскопов на 890-895 нм,
элементов полупроводниковой фотоники среднего УФ диапазона 230-300 нм на основе
наногетероструктур AlGaN: фотокатодов, фотодиоды, источников мощного спонтанного
и стимулированного излучений и, наконец, первых в России высокоэффективных
источников одиночных фотонов с наноантеннами, излучающих в диапазоне
0.48-1.3мкм, на основе разреженных массивов КТ InAs и А2В6 – CdTe и CdSe.
Результаты данных передовых НИР будут активно использоваться в рамках
реализации ОКР и опытно-промышленных разработок с использованием современного
полупромышленного оборудования в создаваемом ФТИ им. А.Ф. Иоффе НИОКР-центре,
завершение строительства и технического перевооружения которого намечено на
конец 2020 г.
х х х
«Он был среди
нас запевалой. Жорес и его команда». Академик РАН Ю.В. Гуляев, научный руководитель Института радиотехники и
электроники, директор-организатор Института нанотехнологий микроэлектроники
(ИНМЭ РАН), дважды лауреат Государственной премии СССР.
Так
вышло, что в 1970 году к нам на отзыв поступила докторская диссертация Жореса Алфёрова,
как в ведущую организацию — в Институт радиотехники и электроники Академии наук
СССР, этот отзыв поручили готовить мне. А оппонент на то и оппонент, чтобы даже
на Солнце найти пятна. Но, увы: масштаб и глубина его работы произвели
впечатление и на меня, и на моих коллег. Жорес Алфёров уже тогда предложил к
реализации полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре из арсенида
галлия с алюминием. И буквально вскоре это произвело переворот в способах
передачи, приёма и обработки огромных массивов информации.
Алфёров
блестяще защитился и стал доктором физико-математических наук. А в 1972-м
вместе со своей физтеховской командой был отмечен Ленинской премией. Благодаря,
как теперь говорят, харизме, и глубоким фундаментальным знаниям он смог собрать
вместе плеяду замечательных учёных: Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис, Е.Н. Портной,
В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков. Его находчивость
органично сочеталась с лидерскими качествами — и в повседневной жизни, и в той
области науки, которую Жорес для себя избрал. Заводила в компании друзей, он
был запевалой и на работе. Исследовательский коллектив под его руководством
задал, по сути, новое глобальное направление в электронике — гетероструктурную
электронику.
Напомню
для примера, как был создан миниатюрный усилитель сверхвысокочастотных сигналов
СВЧ, который играет решающую роль в сотовых телефонах. Не секрет, что принцип
сотовой телефонной связи был предложен фирмой Бэлл в США ещё в 1943 году. Но
долгое время приёмно-передающие устройства такой подвижной радиосвязи (то, что
теперь именуют сотовыми телефонами) были очень громоздкими — главным образом,
из-за тяжёлых усилителей сигналов в диапазоне СВЧ и других элементов обработки
информации — они едва помещались в багажнике автомобиля и должны были специальным
защитным экраном отделяться от людей (абонентов).
И
лишь после того, как в 1969 году Жоресом Алфёровым и его командой был создан
миниатюрный СВЧ-усилитель, а в моей лаборатории и, параллельно, в нескольких
лабораториях за рубежом удалось получить миниатюрные СВЧ-фильтры на так
называемых поверхностных акустических волнах, стало возможным разместить
сотовый телефон в дамской сумочке или просто в кармане. Однако пройдет еще
почти двадцать лет прежде, чем в Москве зазвонит первый сотовый телефон — уже в
привычном для нас понимании, а мы с Жоресом в один день почувствуем себя
именинниками.
В
1989 году состоялись выборы на Съезд народных депутатов СССР. Наши пути, уже
как народных депутатов, сошлись в подкомитете Верховного Совета СССР по
вопросам связи и информатики: меня избрали передседателем, Жорес Иванович
активно включился в работу.
Нам
поручили создать в Кремлёвском Дворце съездов, как он тогда назывался,
электронную машину для голосования на 6 тысяч мест. Мы разработали и создали
такую машину, которая и сегодня, по моим данным, является одной из самых
больших систем для электронного голосования в мире. По ходу дела она
совершенствовалась, и в день открытия очередного съезда Михаил Сергеевич Горбачев
вызвал меня на трибуну, чтобы я объяснил депутатам — как этим пользоваться.
Вторая
по срочности, но куда более глобальная задача, которую поставили перед нашим
подкомитетом, объединялась общим термином «информатизация» — Советского Союза в
целом, а также важнейших сфер в приоритетном порядке. Среди приоритетов — развитие
современных систем телекоммуникаций. Что мы тогда имели? На сто жителей СССР
приходилось в среднем девять стационарных телефонов, в то время как даже в
Республике Зимбабве на то же число населения было 13 телефонных аппаратов, не
говоря уже о европейских странах, США, Японии с их 100%-й телефонизацией. А что
уж говорить о сотовых телефонах! В разработку технологий их создания большой
вклад внесли, как я уже говорил, советские учёные, но в самом СССР про них
ничего не было известно.
Так
или иначе, мы работали, не считаясь с выходными и летними отпусками — и в нашем
подкомитете, с участием ведущих экспертов в области информатики и связи, была
подготовлена такая программа. Участие Жореса было очень продуктивным — на
пользу дела шли его научный авторитет и широчайшие контакты со специалистами в
области радиоэлектроники, информатики, связи. Никто, как Алферов, не умел
наводить мосты — и в нашей стране, и за рубежом.
Первым
пунктом программы — в 1989 году! — значилась цифровизация. То есть переход на
цифровые методы обработки информации — в частности, цифровые радио и
телевидение, цифровые телекоммуникации, в том числе цифровые телефоны. Тридцать
лет назад мы предлагали ровно то, что по-настоящему начинается только сейчас.
Вторым
по важности направлением считали развитие и максимально широкое использование
световолоконных систем телекоммуникаций, особенно на магистральных линиях связи.
И тут, конечно, нельзя не упомянуть (потому что без него не обойтись)
полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре — изобретение Жореса и его
команды.
Говоря
о световолоконных линиях связи, мы понимали: на огромных пространствах СССР с
очень контрастной плотностью населения их прокладка и содержание не всегда
оправданы с экономической точки зрения. Отсюда третье важнейшее направление как
альтернатива — использование искусственных спутников Земли для телекоммуникаций,
радио, телевидения, систем навигации — с учетом наших достижений в космосе.
Четвертое
направление — упомянутая мной сотовая телефонная связь. Уже в 1989 году мы
имели обоснование, что с экономической точки зрения в СССР более выгодно сразу
внедрять сотовую связь (которая была ещё дорогой), вместо того, чтобы тянуть
медные провода, ставить столбы и долбить стены промышленных зданий,
госучреждений и жилых домов. Такие расчеты были проведены для Москвы и
Московской области, а также для ряда других регионов СССР, в том числе и с
малой плотностью населения.
Но,
увы, не было тогда в СССР производства сотовых телефонов, волоконных линий
связи и оборудования для них. Оптимальным для тех лет решением в Минсвязи СССР
сочли международный тендер на создание сотовой телефонной связи в Москве. Его
выиграла финская компания Nokia и 10 октября 1989 года в столице СССР зазвонил
первый сотовый телефон.
И
для меня, и для Жореса этот день был праздничным…
Сегодня
в России на 140 миллионов населения более 300 миллионов сотовых телефонов — «мобильников»,
как теперь говорят. Правда, все они — зарубежного производства. Почему в России
так и не смогли наладить конкурентное производство своих сотовых телефонов, рассуждений
было много, повторять не хочется. Сошлюсь лишь на сказанное с кремлевской
трибуны Жоресом Алфёровым на втором съезде народных депутатов СССР 14 декабря
1989 года (уже после того, как в Москве зазвонил первый сотовый телефон от
фирмы Nokia): мы построили «на основе самой материалистической в мире философии
самую идеалистическую, в худшем смысле слова, в мире экономику».
В
депутаты российской Думы я уже не пошел, а Жорес Алфёров рассудил по-своему. Он
не переставал верить, что в новой России можно что-то серьезное сделать
по-новому. Например, создать такой научно-образовательный комплекс, в котором
была бы на современном уровне реализована известная еще с петровских времен
связка: «лицей, университет, наука и промышленность». И ради этого поддался на
уговоры тогдашнего главы правительства Виктора Черномырдина пойти в Госдуму от
партии «Наш дом — Россия»
Надо
отдать должное — Черномырдин слово сдержал, и Жорес получил стартовые средства
на строительство Научно-образовательного центра ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН, как
он с 1997 по 2002 год назывался. Наиболее активно и последовательно
деятельность Алфёрова в этом направлении поддерживали в думской фракции КПРФ,
включая Ивана Мельникова и Геннадия Зюганова. Депутаты именно этой фракции,
находясь в меньшинстве, не переставали поддерживать науку в России и выступали
против попыток её непродуманного «реформирования». Думаю, это и определило
выбор Жореса Алфёрова в 1999 году, когда он — еще не Нобелевский лауреат! — решил
баллотировался в Госдуму по списку КПРФ. И был, разумеется, избран. Тем самым
дал прямой и публичный повод зачислить его в оппозицию действующей власти.
При
всем том, что Жорес искренне придерживался коммунистической идеологии, считая
её (так, это представлено в «Коммунистическом манифесте», то есть в идеале)
более справедливой и правильной — он сам ни романтиком, ни догматиком не был:
поступал как реалист и даже прагматик, когда требовали интересы дела. Больше
всего Алфёрова мучил вопрос: почему в России с её огромными природными
ресурсами и человеческим потенциалом нет желаемого роста ни в экономике, ни в
социальной сфере.
Новый
тип образовательного комплекса — Академический университет с лицеем — это,
безусловно, рукотворный памятник, который он себе воздвиг, несмотря на
возникавшие барьеры, непонимание и формальные ограничения со стороны чиновников
от образования и науки.
При
высоких должностях в науке и большом количестве почетных званий Жорес при жизни
сам не был памятником, не «бронзовел» и величием не кичился — до последних дней
оставался живым в общении, любил хорошую компанию. Для меня Жорес был близким
другом. И теперь, когда нет возможности его увидеть, обнять или хотя бы
позвонить, это сознаешь особенно остро.
В обсуждении докладов выступили:
д.филос.н. Г.А. Зюганов — председатель КПРФ,
руководитель фракции КПРФ в Государственной Думе; д.ф.-м-.н. С.В. Иванов —
директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН; чл.-корр. В.М. Устинов, ак. Ю.В. Гуляев, ак.
Р.А. Сурис, ак. А.Г. Забродский.
х х х
Члены
Президиума заслушали научное сообщение «О реализации государственной
научно-технической политики в Российской Федерации».
Сообщение члена-корреспондента РАН Владимира Викторовича Иванова.
х х х
На заседании рассмотрен вопрос о
присуждении ученой степени доктора honoris causa иностранному ученому Лю Чженья (представление Отделения энергетики, машиностроения,
механики и процессов управления).
Лю
Чженья родился 2 августа 1952 года. Профессор Шаньдунского университета,
почетный профессор Северо-Китайского университета электроэнергетики,
действительный член Шведской королевской академии наук. В 1976 году окончил
факультет электроэнергетики Шаньдунского политехнического института и
преподавал в нем, был президентом государственной электросетевой корпорации
Китая, крупнейшей в мире. В настоящее время является председателем Организации
по развитию и кооперации в области глобального энергообъединения (GEIDCO),
председателем китайского комитета Комиссии международной глобальной
электросети.
Лю
Чженья — всемирно известный специалист в области электротехники. Наиболее
важные его научные исследования лежат в области электрофизических процессов в
протяженных проводниках, преобразовательных и коммутационных устройствах при
ультравысоком напряжении — УВН (постоянный ток +/- 800 кВ и выше и переменный
ток 1000 кВ и выше). Им лично и под его руководством были получены базовые
научно-технические знания, необходимые для проектирования линий электропередачи
(ЛЭП) УВН на переменном и постоянном токе, в том числе, по таким важнейшим
вопросам, как предельные значения параметров электромагнитной среды, уровни
перенапряжений, компенсация реактивной мощности, конфигурация электроизоляции,
грозозащита и др., созданы демонстрационные установки и испытательные полигоны,
разработана признанная во всем мире методика стандартизации УВН.
Научные
результаты и разработки Лю Чженья позволили Китаю создать мощную
электротехническую промышленность и стать мировым лидером в области
электротехники УВН. При непосредственном руководстве Лю Чженья в Китае было
разработано и освоено производство всех основных элементов ЛЭП УВН, включая
преобразовательные вентили на основе мощных высоковольтных тиристоров и системы
управления ими, преобразовательные трансформаторы, сглаживающие реакторы и
фильтры постоянного и переменного тока, устройства компенсации реактивной
мощности, системы автоматического регулирования и защиты на базе
высокопроизводительной микропроцессорной техники и др., и в итоге сформирована
крупнейшая в мире электрическая сеть УВН на переменном и постоянном токе. Это
вывело китайскую электротехнику на передовые позиции в мире и открыло в мировой
электроэнергетике новую эру — эру УВН.
Написанные
Лю Чженья монографии по основам электротехники УВН, передаче электроэнергии
постоянным током на УВН, созданию глобальной электроэнергетической системы были
переведены на английский и русский языки. Он руководил подготовкой более 20
научных диссертаций, имеет 6 ключевых патентов в области электротехники УВН,
является главным редактором ряда научных журналов.
Усилиями
Лю Чженья активно развивается российско-китайское научно-техническое
сотрудничество в области электротехники УВН и создания электрических систем
УВН.
х
х х
Члены президиума обсудили и
приняли решения по ряду других научно-организационных вопросов.