Академику Гапонову Сергею Викторовичу - 85 лет!

Сергей Викторович Гапонов родился 5 марта 1937 года в г. Горьком (ныне — Нижний Новгород).

В 1965 году окончил Горьковский политехнический институт им. Жданова. В 1964-1978 гг. — в Горьковском институте «Салют»: техник, инженер, старший инженер, ведущий конструктор, начальник сектора, начальник лаборатории. В 1978-1992 гг. — в Институте прикладной физики РАН: зав. отделом твердотельной технологии и полупроводниковых приборов, зав. отделением физики твёрдого тела, заместитель директора Института. В 1993-2009 гг. — директор (основатель) Института физики микроструктур РАН. С 2009 года — советник РАН.

С 1989 года — зав. кафедрой электроники Нижегородского госуниверситета имени Н.И. Лобачевского. В 1993 году получил звание профессора.

Член-корреспондент РАН c 1994 года, академик РАН c 2008 года — Отделение физических наук.

Академик С.В. Гапонов — российский учёный-физик, крупный специалист в области физики лазеров, взаимодействия электромагнитного излучения с веществом, рентгеновской оптики, высокотемпературной сверхпроводимости, физики твердотельных наноструктур. Основатель и первый директор Института физики микроструктур РАН.

С.В. Гапоновым построены физические основы импульсного лазерного распыления (абляции) и использования продуктов эрозии для модификации поверхности и напыления наноструктур и нанопленок.

В области физики твердого тела С.В. Гапоновым обнаружены и исследованы явления, стимулирующие ориентированный рост пленок и связанные с облучением поверхности кристаллов потоками лазерной плазмы. Это позволило получить и экспериментально исследовать квантовые сверхрешетки (1979 г.), а в 1987 году — первому вырастить эпитаксиальные пленки высокотемпературных сверхпроводников с предельной токонесущей способностью, на которых были получены пионерские результаты по исследованию токопереноса в сильных магнитных полях, определению энергии центров пиннинга и связи этих параметров со структурными и морфологическими особенностями.

Определяющую роль сыграли работы С.В. Гапонова в создании многослойной нано- и субнанопленочной рентгеновской оптики, физических основ ее технологии и некоторых приложений, ему удалось создать оптику нормального падения с переменным периодом на поверхностях сложной формы. Рентгеновские зеркала нашли применение в материаловедении, диагностике плазмы, синхротронных исследованиях, астрономии, ЭУФ нанолитографии. Работы С.В. Гапонова с сотрудниками сыграли определяющую роль в освоении экстремального ультрафиолетового и мягкого рентгеновского диапазона длин волн. Сейчас этот коллектив является одним из мировых лидеров в области проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона длин волн (11-13 нм).

С.В. Гапоновым разработана концепция построения импульсно-периодических лазеров, объединяющая теплофизические и оптические аспекты, включающие методы модуляции и управления излучением. В частности, предложен метод модуляции лазеров на явлениях самофокусировки и ВРМБ — это было первое практическое использование внутрирезонаторного обращения волнового фронта (хотя само определение ОВР возникло несколько позже).

С.В. Гапонову принадлежит ведущая роль в исследованиях взаимодействия лазерного излучения среднего диапазона интенсивности (107-1010 Вт/см2) с веществом. В них определена роль неустойчивости фронта испарения и рекомбинационных явлений в формировании энергетического спектра плазмы, возникающей при взаимодействии лазерного импульса с мишенями.

Исследования С.В. Гапонова привели к решению таких прикладных задач, как разработка лазеров и лазерных технологических установок, построение физических основ технологии пленок высокотемпературных сверхпроводников, построение некоторых приборов на их основе, построение и использование для исследовательских и технологических целей сканирующих зондовых микроскопов.

Делом жизни для С.В. Гапонова стало создание им в 1993 году на нижегородской земле Института физики микроструктур, директором-основателем которого он был до 2009 года. Первоначально строился на границе с Нижним Новгородом лабораторный корпус Института прикладной физики для занятий в области высокотемпературной сверхпроводимости. Этот корпус стал в то время в Академии наук уникальным — одним из немногих, спроектированных, построенных и оснащенных специально для научных исследований в области физики и технологии твердого тела. С.В. Гапонов стал инициатором создания на основании этого корпуса самостоятельного Института физики микроструктур РАН. Разумеется, то была очень трудная для страны и для науки первая половина 90-х годов, однако изначально при создании Института были предугаданы те направления научных исследований, которые были чрезвычайно нужны, и которые развиваются и в наши дни.

Институту под руководством С.В. Гапонова удалось прирасти большим количеством нового технологического и экспериментального оборудования, вследствие чего коллективу стали доступны новые технологии и исследования. С той поры на протяжении почти трети века важнейшие направления исследований ИФМ РАН неизменно включают фундаментальные научные исследования в области физики поверхности, твердотельных наноструктур, высокотемпературных сверхпроводников и многослойной рентгеновской оптики, технологии и применения тонких пленок, поверхностных и многослойных структур. В 2016 году Институт физики микроструктур вновь объединился с Институтом прикладной физики, чтобы образовать один из первых в Российской академии наук Федеральный исследовательский центр в области фундаментальной и прикладной физики.

Из интервью С.В. Гапонова: «Науку, на мой взгляд, можно сравнить с театром. Актеры бывают репертуарные и антрепризные — это совершенно разные люди. Театральный актер жертвует чем-то своим ради того, чтобы существовал этот его дом — театр. А антрепризер уезжает туда, где ему лучше. Так же и ученые. Мне и моим коллегам было важно создать дом, а те, кто имел антрепризные наклонности — уехали. Сейчас усердно зазывают уехавших ученых, но возвращаясь, они остаются антрепризерами, и строить нашу науку не будут. Попытка создать науку на антрепризе, мне кажется, не для России. В США так принято, когда вуз человек оканчивает в одном месте, аспирантуру в другом, а трудиться в третьем месте. Это полезно, конечно, с точки зрения освоения разных подходов, но наивно полагать, что мы с помощью таких людей устроим науку так же, как у них. Научные школы в России создавались поколениями людей, преданных науке и привязанных к одному месту проживания, традиция школ сложилась. И сама мысль все разрушить и сделать по-новому, как у них в США — контрпродуктивна. Попытка играть чужими козырями обречена на неудачу. Возрождать науку в России надо с того уровня, на котором она находится, а не пытаться прыгнуть через эпоху.

Конвергенция наук была всегда, но никогда не было, чтобы преподавали науки сразу в смешанном виде. Это способ получить в результате человека, который ни в чем не будет понимать. Когда все смешано и перепутано, то это не для обучения, это следующий этап исследовательской работы.

Нельзя не вспомнить, что в СССР на науку, особенно связанную с оборонной тематикой, тратились очень большие деньги, но зато расплачивались закрытостью, что тоже невесело. Сейчас же увлеклись «прорывными направлениями», о которых везде пишут и говорят, хотя прорывов никаких не видно. В Советском Союзе было соревнование с США и поэтому, на всякий случай, поддерживали все направления, что особенно важно для фундаментальной науки».

С.В. Гапонов — основатель и лидер ведущей научной школы России «Металлические сверхрешётки и нанокластерные структуры. Физика и технология многослойных и нанокластерных структур на основе металлов и сверхпроводников».

Им опубликовано более 200 научных статей в различных журналах, 7 авторских свидетельств. Специалистам известны его работы, написанные индивидуально или в соавторстве: «Исследование влияния катионного состава на сверхпроводящие и микроструктурные свойства тонких пленок YВaCuO», «АСМ и РРМ исследования шероховатостей поверхности стеклянных подложек с негауссовым распределением по высотам», «Экстремальная ультрафиолетовая литография — будущее наноэлектроники» и др.

Член редакционного совета журнала «Нано- и микросистемная техника».

Был членом Бюро Отделения физических наук РАН, член Бюро совета директоров институтов РАН, член Научного совета по проблеме «Физика полупроводников», член Научного совета по проблеме «Актуальные направления в физике конденсированного состояния», член президиума Объединенного научного совета по спектроскопии РАН, Председатель специализированного докторского совета Д 002.098.01, и член другого специализированного совета по защите диссертаций.

Почетный член Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН.

Награжден орденом Дружбы (1999) — за большой вклад в развитие отечественной науки, подготовку высококвалифицированных кадров.

Лауреат Государственной премии СССР (1991) — за работы в области многослойной рентгеновской оптики.