http://93.174.130.82/news/shownews.aspx?id=4122c18b-32b4-454f-bdac-ade35fc2abae&print=1© 2024 Российская академия наук
Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью): композит из наночастиц оксида ванадия покрытых фторированным графеном. Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд. Подробности опубликованы в журнале Advanced electronic materials...(читать полностью)
Источник: Наука в Сибири