Сибирские ученые разработали материал для создания гибких элементов памяти
12.11.2019
Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью):
композит из наночастиц оксида ванадия покрытых фторированным графеном.
Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов
памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны
хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд.
Подробности опубликованы в журнале Advanced electronic materials...(читать полностью)
Источник: Наука в Сибири