http://93.174.130.82/news/shownews.aspx?id=381954ea-5261-4504-bfb2-677483bf4249&print=1© 2024 Российская академия наук
Президиум Российской академии наук постановил присвоить Институту физики полупроводников СО РАН имя академика Анатолия Васильевича Ржанова — выдающегося ученого, организатора и первого директора института, сообщает «Наука в Сибири».
Академик А.В. Ржанов возглавлял одну из четырех групп, которые в 1953 г. создали первый отечественный полупроводниковый транзистор. В 1962 г. он принял приглашение М.А. Лаврентьева переехать в новосибирский Академгородок, где с группой своих сотрудников организовал Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники, в 1964 г. трансформировавшийся в Институт физики полупроводников.
Основной тематикой ИФП А.В. Ржанов определил развитие физики поверхности полупроводников и тонких пленок. Именно благодаря правильности выбора А.В. Ржанова институт превратился в крупный исследовательский центр с широким фронтом работ в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, технологий полупроводниковой электроники.