Академику Асееву Александру Леонидовичу - 75 лет!

Александр Леонидович Асеев родился 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ.

В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета. Распределен в Институт физики полупроводников (ИФП): с 1968 года — стажер-исследователь, с 1969 года — младший научный сотрудник, с 1979 года — старший научный сотрудник, с 1985 года — зав. лабораторией, с 1993 года — зав. отделом, с 1994 года — и.о. заместителя директора по научной работе, с 1997 года — и.о. директора. В 1998-2013 гг. — директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. В 1999-2003 гг. — и.о. генерального директора, генеральный директор Объединенного института физики полупроводников СО РАН. В настоящее время — главный научный сотрудник ИФП СО РАН (по совместительству). С 2017 года — главный научный сотрудник Новосибирского государственного университета, и.о. директора Аналитического и технологического центра физического факультета НГУ.

В 2008-2017 гг. — вице-президент Российской академии наук, дважды избирался председателем Сибирского Отделения РАН в 2008 и в 2013 гг.

Почетный профессор кафедры физики полупроводников Томского государственного университета.

Член-корреспондент РАН c 2000 года, избран академиком РАН в 2006 году по отделению физических наук, с 2008 года — в Отделении нанотехнологий и информационных технологий.

Академик А.Л. Асеев — выдающийся советский и российский физик, специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур. Крупный организатор науки.

А.Л. Асеев получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. А.Л. Асеевым с сотрудниками исследованы свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксиального роста и сверхструктурных перестроек, впервые обнаружены обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.

В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках», в 1990 году защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».

Под руководством и при непосредственном участии А.Л. Асеева разработана технологии получения фоточувствительных слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии и формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприемных устройств для нового поколения приборов и устройств инфракрасной техники. Результаты работ в этой области обеспечили получение в России стратегически важного материала инфракрасной техники — эпитаксиальных слоев соединения кадмий-ртуть-теллур.

Под руководством А.Л. Асеева в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создан научно-технологический и диагностический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. разрабатываются нанотранзисторы для регистрации отдельных биологических молекул, материалы и новые типы элементов памяти и силовой электроники. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда.

На посту председателя Сибирского отделения РАН и вице-президента РАН А.Л. Асеев вел организационную работу по повышению уровня фундаментальных исследований в России, обеспечению участия институтов Сибирского отделения РАН в программах социально-экономического развития регионов Сибири, инновационного развития крупных государственных и частных корпораций (ГК «Ростехнологии», ГК «Росатом», ОАО «Роснано», ОАО «НК «Роснефть», ОАО «Газпром», ОАО «Компания «Сухой» и др.), по участию в технологических платформах «Медицина будущего», «Национальная информационная спутниковая система», «Глубокая переработка углеводородных ресурсов» и др.; обеспечивал участие институтов СО РАН в выполнении НИОКР в интересах силовых ведомств России, в том числе в рамках Центра фундаментальных и прикладных исследований СО РАН для обеспечения обороны и безопасности.

Заслугой академика А.Л. Асеева на посту председателя СО РАН является вывод из депрессии после разрухи 90-х годов Новосибирского академгородка и ранее безнадежно депрессивного Советского района г. Новосибирска, который был образован в 1958 году именно в связи с созданием СО АН СССР и Новосибирского научного центра. Ныне Советский район уверенно входит в число лидеров среди районов города по величине заработной платы, собираемости налогов и качеству социальной инфраструктуры и является одним из лучших районов города по комфорту и уровню жизни.

А.Л. Асеев принимал участие в работе большого числа конференций различного уровня, входил в состав организационных и программных комитетов IV, V и VI Российских конференций по физике полупроводников (1999-2003); Международных симпозиумов «Nanostructures: Physics and Technology»; Осенних школ по материаловедению и электронной микроскопии (Berlin; Halle, 1997-2002); IX и X Национальных конференций по росту кристаллов (Москва, 2000, 2002), принимал участие в Международных конференциях по наноматериалам и нанотехнологиям (Дубаи, Улан-Удэ, 2019), 5-м мировом конгрессе по «умным» материалам (Рим, 2019), в форуме «Микроэлектроника-2019» и многих др.

Всегда поддерживал широкие международные научные связи. Начиная с 1970-х гг., практически ежегодно проводил научные исследования в Институте физики микроструктур в Галле (Германия), в 1993 г. работал в Отделении материалов Оксфордского университета (Англия) и в департаменте материаловедения Центра ядерных исследований в Гренобле (Франция). В 1996 году преподавал на физическом факультете Университета штата Висконсин (США).

А.Л. Асеев известен как наиболее последовательный критик реформы Российской академии наук 2013 — с самого её начала. Жестко критиковал промежуточные результаты реформирования РАН, раскрывал те трудности, с которыми пришлось столкнуться в ее ходе российским ученым. В 2017 году в своём обращении оценил реформы как «непродуманные и катастрофические», возложил на «реформаторов» вину за срыв выборов президента РАН в марте 2017 года.

Из интервью А.Л. Асеева: «Российская академия наук как организация, сосредоточенная преимущественно на проведении фундаментальных исследований — это естественное и, пожалуй, главное конкурентное преимущество России в научно-технической сфере» (цитирую слова академика Е. М. Примакова). И еще: «СССР обогнал США в ракетно-космической гонке за школьной партой» — так процитировала Хиллари Клинтон президента Кеннеди, выступая в Доме учёных СО РАН. Пожалуй, единственное реальное достижение современной России в области науки и образования — создание в Санкт-Петербурге Академического университета со строительством современного комплекса зданий принадлежит академику Ж.И. Алфёрову. Это детище Ж. И. Алфёрова воспроизводит Лаврентьевскую систему подготовки высококвалифицированных кадров, включая в себя лицей, университет и научно-технологический центр получения и исследования полупроводниковых наногетероструктур.

Наш частный бизнес во многом занимается не инновациями, а их имитацией. В лучшем случае это перенос на российскую почву того, что уже сделано на Западе, или развитие созданного в середине прошлого века. Тогда произошла научно-техническая революция, плодами которой мы пользуемся по сей день. Микроэлектроника, информационные технологии, лазеры, ядерные технологии — все родом оттуда. Сегодня задача состоит в том, чтобы поставить инновационное развитие на новую научную базу. Это наноматериалы и наноэлектроника, биотехнологии, развитие энергосберегающих технологий, квантовые технологии, искусственный интеллект и т.д.

Одна из главных задач развития Сибири — это освоение и глубокая переработка минерально-сырьевых ресурсов. В области геологии и геофизики сейчас идет настоящая революция. Так, благодаря нанотехнологиям появляются более чувствительные сенсоры и современная геофизика строится на очень точных измерениях электромагнитных полей. Для более глубокого изучения земных недр нужны современные информационные технологии, беспилотники, спутниковые технологии, математическое моделирование. Этот комплекс ученые-геологи и геофизики развивают очень мощно, и он дает свои плоды. В ближайшее время мы ожидаем настоящего прорыва в этой области. Нам предстоит изучить недра на всей территории Сибири на глубину 1 км, потом 2 км, потом 4 км и т.д.».

Под руководством А.Л. Асеева защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Среди его учеников действительный член (академик) РАН.

Он — автор и соавтор более 250 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.

Член редколлегий журналов «Физика и техника полупроводников», «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Микро- и наносистемная техника», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology», «Нанотехнологии. Экология. Производство», «Проблемы информатики».

В настоящее время А.Л. Асеев — член Президиума СО РАН, член Бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН. В 2011-2012 гг. был членом Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, в 2006-2017 гг. — член Научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при Правительстве РФ, с 2017 г. — член НТС ПАО «Газпром», с 2010 г. — член Научно-координационного совета научно-технической службы ФСБ. В 2012-2018 гг. — член Общественного совета при Министерстве образования и науки РФ. Член ученого совета Новосибирского государственного университета, председатель диссертационного совета по специальностям «физика конденсированного состояния» и «физика полупроводников» в Институте физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН.

В 2007-2011 гг. член Научно-технического совета ОАО «Роснано», с 2011 года — член Научно-технического совета ОАО «НПК «Оптические системы и технологии».

Член Попечительского Совета Программы развития Национального исследовательского Томского государственного университета.

Почетный член Физико-технического Института им. А.Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург), почетный доктор Академического университета РАН в Санкт-Петербурге, почетный доктор Томского государственного университета, почетный профессор Бурятского государственного университета, почетный профессор Новосибирского государственного университета. С 2014 года иностранный член Национальной академии наук Беларуси, с 2011 года иностранный член Монгольской академии наук.

В 1996-2005 гг. входил в состав Совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия).

Награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II и I ст. Лауреат премии Правительства РФ в области образования 2012 г., почетный работник науки и техники РФ (2011 г.).

Ему вручены Грамоты и Благодарности Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии.

Национальный комитет общественных наград наградил А.Л. Асеева орденом М.В. Ломоносова за заслуги и большой личный вклад в развитие отечественной науки.

А.Л. Асееву вручена высшие награды Кемеровской области «Ключ Дружбы», «Доблесть Кузбасса», «Почета» и др. Награжден серебряной медалью «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета», медалью «За доблестный труд в ТГУ», знаком отличия РС(Я) «Трудовая доблесть», медалью ФСБ «За взаимодействие с ФСБ России» и др. Удостоен высшей награды Монголии — ордена «Полярная Звезда» и золотой медали Национальной академии наук Казахстана «Ученый века». Удостоен золотой медали имени академика К.А. Валиева РАН 2021 г., присуждаемой за научные достижения в области микро- и наноэлектроники, за цикл работ «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».

А.Л. Асееву присвоены звания Почетного жителя города Новосибирска, Почетного гражданина города Улан-Удэ.