Сотрудники Института проблем машиноведения РАН создали абсолютно новую технологию получения карбида кремния на кремнии — кристаллического материала для микроэлектроники, по характеристикам превосходящего использующиеся в настоящее время кремний.
Разработанная технология проста и многократно дешевле существующих зарубежных технологий роста карбида кремния на кремнии. Технология позволяет выращивать карбид кремния на кремнии более высокого кристаллического совершенства по сравнению сосуществующими на сегодняшний день в мине методами синтеза карбида кремния на кремнии.
Кремния сегодня применяется в большинстве различных гаджетов и приборов, в частности, светодиодах и полупроводниковые лазерах, солнечных батареях, мобильных телефонах, радарах, холодильниках и видеоаппаратуре. Одним словом, кремний — базовый материал для начинки современной электроники и бытовой техники. Его важным преимуществом является простота обработки. Производство пластин из кремния для чипов и микросхем и их обработка хорошо освоены во всем мире, поэтому приборы, изготовленные на основе пластин кремния недорогие и надёжные.
Но есть у кремния и свои недостатки. Например, полупроводниковые приборы на основе кремния стабильно работают только в узком диапазоне температур и плохо переносят радиационное воздействие. Одним из наиболее перспективных материалов, способных заменить кремний, без отказа от технологий его изготовления, доведённых до совершенства, может стать карбид кремния — соединение кремния с углеродом.
Руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Сергей Кукушкин
Подробнее о новой разработке руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Сергей Кукушкин рассказал электронному журналу «Наука и технологии».
Интервью о карбиде кремния вышло в трёх частях под общим заголовком «Проводник покажет путь».
Часть 1. (От 10 ноября 2023 года.) О новой технологии получения карбида кремния на кремнии
Часть 2. (От 17 ноября 2023 года.) Практическая польза, финальная цель и уникальность направления данной разработки.
Часть 3. (От 1 декабря 2023 года.) О государственной поддержке и инвестициях в исследование.
Источник: ИПМАш РАН.